Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB₂

Беляев А.Е.¹, Болтовец Н.С.², Иванов В.Н.², Капитанчук Л.М.³, Конакова Р.В.¹, Кудрик Я.Я.¹, Миленин В.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
³Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 2 июля 2008 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H(15R)SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10¹⁸см^-3. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB₂ при изготовлении контактов на n-6H(15R)SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800^oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами ⁶⁰Co10³-10⁷ Гр. PACS: 85.40.Ls, 85.30.Hi

Е.В. Калинина. ФТП, 41 (7), 769 (2007)
А. Лебедев, С. Сбруев. Электроника: Наука. Технология. Бизнес, (5), 23 (2006)
О.А. Агеев. Проблемы технологии контактов к карбиду кремния (Таганрог, Изд-во ТРТУ, 2005)
А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38 (2), 129 (2004)
В.В. Козловский, П.А. Иванов, Д.С. Румянцев, В.Н. Ломасов, Т.П. Самсонова. ФТП, 38 (7), 778 (2004)
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
S.E. Saddow, A. Agarwal. Adwances in Silicon Carbide Processing and Applications (Boston-London, Artech House, Inc., 2004)
T.N. Oder, P. Martin, A.V. Adedeji, T. Isaacs-Smith, J.R. Williams. J. Electroon. Mater., 36 (7), 805 (2007)
M. Guziewicz, A. Piotrowska, E. Kaminska, K. Grasza, R. Diduszko, A. Stonert, A. Turos, M. Sochacki, J. Szmidt. Mater. Sci. Eng. B, 135 (3), 289 (2006)
M. Willander, M. Frisel, Q. Wahab, B. Straumal. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 17, 1 (2006)
B. Pesz, L. Toth, M.A. di Forte-Poisson, J. Vacas. Appl. Surf. Sci., 206, 8 (2003)
Y. Gao, S.A. Perez-Garsia, L Nyborg. Mater. Sci. Forum, 556--557, 713 (2007)
A.L. Barry, B. Lehman, D. Fritsch, D. Brauning. IEEE Trans. Nucl. Sci., 38 (6), pt 1, 1111 (1991)
Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumiantsev and M.S. Shur (N. Y., John Wiley \& Sons, 2001)
N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, S.I. Vlaskina, O.A. Agueev, A.M. Svetlichny, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan. SPQEO, 7 (1), 60 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель