Безызлучательная рекомбинация в квантовых точках GaN, сформированных в матрице AlN
Александров И.А.1, Журавлев К.С.1, Мансуров В.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 16 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Проведено исследование механизмов температурного тушения стационарной фотолюминесценции структур с гексагональными квантовыми точками GaN в матрице AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовались структуры с различным размером квантовых точек, максимум полосы фотолюминесценции которых расположен в диапазоне от 2.5 до 4 эВ. Обнаружено, что энергия активации термического тушения фотолюминесценции изменяется от 27 до 110 мэВ при уменьшении высоты квантовых точек от 5 до 2 нм. Предложена модель, согласно которой тушение фотолюминесценции происходит через уход носителей заряда с уровней энергии квантовых точек на уровни дефектов матрицы. PACS: 73.21.La, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 81.05.Ea, 81.07.Ta
- S. Tanaka, J.-S. Lee, P. Ramvall, H. Okagawa. Jpn. J. Appl. Phys., 42, 885 (2003)
- Y. Arakawa, T. Someya, K. Tachibana. Phys. Status Solidi B, 224 (1), 1 (2001)
- A. Vardi, N. Akopian, G. Bahir, L. Doyennette, M. Tchernycheva, L. Nevou, F.H. Julien, F. Guillot, E. Monroy. Appl. Phys. Lett., 88, 143 101 (2006)
- J.M. Gerard, O. Cabrol, B. Sermage. Appl. Phys. Lett., 68, 3123 (1996)
- F. Widmann, J. Simon, N.T. Pelekanos, B. Daudin, G. Feuillet, J.L. Rouvie're, G. Fishman. Microelectronics J., 30, 353 (1999)
- F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J.L. Rouviere, N. Pelekanos. J. Appl. Phys., 83, 7618 (1998)
- J. Simon, N.T. Pelekanos, C. Adelmann, E. Martinez-Guerrero, R. Andre, B. Daudin, Le Si Dang, H. Mariette. Phys. Rev. B, 68, 035 312 (2003)
- A. Neogi, H. Morkoc, T. Kuroda, A. Tackeuchi, T. Kawazoe, M. Ohtsu. Nano Lett., 5 (2), 213 (2005)
- H. Morkoc, M.A. Reshchikov, K.M. Jones, F. Yun, P. Visconti, M.I. Nathan, R.J. Molnar. Mater. Res. Soc. Symp., 639, G11.2.1 (2001)
- Y. H. Cho, B.J. Kwon, J. Barjon, J. Brault, B. Daudin, H. Mariette, L.S. Dang. Appl. Phys. Lett., 81, 4934 (2002)
- M.A. Reshchikov, J. Cui, F. Yun, A. Baski, M.I. Nathan, H. Morkoc. Mater. Res. Soc. Symp., 622, T4.5.1 (2000)
- B. Damilano, N. Grandjean, J. Massies, F. Semond. Appl. Surf. Sci., 164, 241 (2000)
- V.G. Mansurov, A.Yu. Nikitin, Yu.G. Galitsyn, S.N. Svitasheva, K.S. Zhuravlev, Z. Osvath, L. Dobos, Z.E. Horvath, B. Pecz. J. Cryst. Growth, 300, 145 (2007)
- A.F. Wright, J. Furthmuller. Appl. Phys. Lett., 72, 3467 (1998)
- V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, A.Yu. Nikitin, K.S. Zhuravlev, Ph. Vennegues. Phys. Status Solidi C, 3 (6), 1548 (2006)
- M. Arlery, J.L. Rouviere, F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, H. Mariette. Appl. Phys. Lett., 74, 3287 (1999)
- E.C. Le Ru, J. Fack, R. Murray. Phys. Rev. B, 67, 245 318 (2003)
- A.V. Maleev, I.V. Ignatiev, I.Ya. Gerlovin, I.E. Kozin. Phys. Rev. B, 71, 195 323 (2005)
- Г.Г. Зегря, Д.М. Самосват. ЖЭТФ, 131 (6), 1090 (2007)
- K.S. Zhuravlev, V.G. Mansurov, A.Yu. Nikitin, M. Larsson, P.O. Holtz. Proc. 15th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (Novosibirsk, 2007) p. 209
- C.J. Fall, R. Jones, P.R. Briddon, A.T. Blumenau, T. Frauenheim, M.I. Heggie. Phys. Rev. B, 65, 245 304 (2002)
- J.L. Rouviere, J. Simon, N. Pelekanos, B. Daudin, G. Feuillet. Appl. Phys. Lett., 75, 2632 (1999)
- T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev. Semocond. Sci. Technol., 21, 527 (2006)
- A.D. Andreev, E.P. O'Reilly. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 642, G11.25.1 (2001); A.D. Andreev, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B, 62, 15 851 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.