Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Безызлучательная рекомбинация в квантовых точках GaN, сформированных в матрице AlN

Александров И.А.¹, Журавлев К.С.¹, Мансуров В.Г.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 16 октября 2008 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

PDF версия

Проведено исследование механизмов температурного тушения стационарной фотолюминесценции структур с гексагональными квантовыми точками GaN в матрице AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовались структуры с различным размером квантовых точек, максимум полосы фотолюминесценции которых расположен в диапазоне от 2.5 до 4 эВ. Обнаружено, что энергия активации термического тушения фотолюминесценции изменяется от 27 до 110 мэВ при уменьшении высоты квантовых точек от 5 до 2 нм. Предложена модель, согласно которой тушение фотолюминесценции происходит через уход носителей заряда с уровней энергии квантовых точек на уровни дефектов матрицы. PACS: 73.21.La, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 81.05.Ea, 81.07.Ta

S. Tanaka, J.-S. Lee, P. Ramvall, H. Okagawa. Jpn. J. Appl. Phys., 42, 885 (2003)
Y. Arakawa, T. Someya, K. Tachibana. Phys. Status Solidi B, 224 (1), 1 (2001)
A. Vardi, N. Akopian, G. Bahir, L. Doyennette, M. Tchernycheva, L. Nevou, F.H. Julien, F. Guillot, E. Monroy. Appl. Phys. Lett., 88, 143 101 (2006)
J.M. Gerard, O. Cabrol, B. Sermage. Appl. Phys. Lett., 68, 3123 (1996)
F. Widmann, J. Simon, N.T. Pelekanos, B. Daudin, G. Feuillet, J.L. Rouvie're, G. Fishman. Microelectronics J., 30, 353 (1999)
F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J.L. Rouviere, N. Pelekanos. J. Appl. Phys., 83, 7618 (1998)
J. Simon, N.T. Pelekanos, C. Adelmann, E. Martinez-Guerrero, R. Andre, B. Daudin, Le Si Dang, H. Mariette. Phys. Rev. B, 68, 035 312 (2003)
A. Neogi, H. Morkoc, T. Kuroda, A. Tackeuchi, T. Kawazoe, M. Ohtsu. Nano Lett., 5 (2), 213 (2005)
H. Morkoc, M.A. Reshchikov, K.M. Jones, F. Yun, P. Visconti, M.I. Nathan, R.J. Molnar. Mater. Res. Soc. Symp., 639, G11.2.1 (2001)
Y. H. Cho, B.J. Kwon, J. Barjon, J. Brault, B. Daudin, H. Mariette, L.S. Dang. Appl. Phys. Lett., 81, 4934 (2002)
M.A. Reshchikov, J. Cui, F. Yun, A. Baski, M.I. Nathan, H. Morkoc. Mater. Res. Soc. Symp., 622, T4.5.1 (2000)
B. Damilano, N. Grandjean, J. Massies, F. Semond. Appl. Surf. Sci., 164, 241 (2000)
V.G. Mansurov, A.Yu. Nikitin, Yu.G. Galitsyn, S.N. Svitasheva, K.S. Zhuravlev, Z. Osvath, L. Dobos, Z.E. Horvath, B. Pecz. J. Cryst. Growth, 300, 145 (2007)
A.F. Wright, J. Furthmuller. Appl. Phys. Lett., 72, 3467 (1998)
V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, A.Yu. Nikitin, K.S. Zhuravlev, Ph. Vennegues. Phys. Status Solidi C, 3 (6), 1548 (2006)
M. Arlery, J.L. Rouviere, F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, H. Mariette. Appl. Phys. Lett., 74, 3287 (1999)
E.C. Le Ru, J. Fack, R. Murray. Phys. Rev. B, 67, 245 318 (2003)
A.V. Maleev, I.V. Ignatiev, I.Ya. Gerlovin, I.E. Kozin. Phys. Rev. B, 71, 195 323 (2005)
Г.Г. Зегря, Д.М. Самосват. ЖЭТФ, 131 (6), 1090 (2007)
K.S. Zhuravlev, V.G. Mansurov, A.Yu. Nikitin, M. Larsson, P.O. Holtz. Proc. 15th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (Novosibirsk, 2007) p. 209
C.J. Fall, R. Jones, P.R. Briddon, A.T. Blumenau, T. Frauenheim, M.I. Heggie. Phys. Rev. B, 65, 245 304 (2002)
J.L. Rouviere, J. Simon, N. Pelekanos, B. Daudin, G. Feuillet. Appl. Phys. Lett., 75, 2632 (1999)
T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev. Semocond. Sci. Technol., 21, 527 (2006)
A.D. Andreev, E.P. O'Reilly. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 642, G11.25.1 (2001); A.D. Andreev, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B, 62, 15 851 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель