Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе ZnS
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 15 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Использование сверхтонкой (~10 нм) стабильной пленки p-Cu1.8S в качестве прозрачной составляющей гетероперехода p-Cu1.8S-n-ZnS, а также варизонных слоев позволило получить эффективные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения. Представлены результаты исследования свойств фотоактивных переходов Cu1.8S-ZnS, выращенных на подложках CdS или CdSe с промежуточными варизонными слоями соответственно CdS-ZnxCd1-xS или CdSe-(ZnS)x(CdSe)1-x. При правильном выборе параметров подложек варизонные слои позволяют без дополнительного легирования посторонней примесью всех составляющих гетероструктуры достичь оптимальных характеристик p-n-перехода, реализовать большие электрические поля на контакте Cu1.8S-ZnS и решить проблему создания тыльного омического контакта к ZnS. Варьируя толщину тонкого слоя ZnS, можно контролировать протяженность пространственного заряда в варизонном слое и тем самым управлять длинноволновым краем чувствительности фотопреобразователя. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 85.60.Dw, 85.60.Gz
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
- С.С. Кильчицкая, В.И. Стриха. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1986) вып. 10, с. 3
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37 (9), 1025 (2003)
- K. Hiramatsu, A. Motogaito. Physica Status Solidi A, 195, 496 (2003)
- Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, С.Ю. Павелец, В.М. Ткаченко. Письма ЖТФ, 20 (12), 9 (1994)
- Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, С.Ю. Павелец, Т.Е. Шенгелия. ФТП, 29, 750 (1995)
- С.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.В. Комащенко, Т.Е. Шенгелия. ФТП, 35, 626 (2001)
- С.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, М.Н. Кретулис. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2002) вып. 37, с. 106
- Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, А.М. Павелец. Приборы и техника эксперимента, N 6, 107 (2007)
- С.Ю. Павелец, А.А. Стадник, О.А. Мищук, А.М. Павелец. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2005) вып. 40, с. 149
- Физика соединений AIIBVI, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман (М., Наука, 1986)
- О.Ю. Горкун, К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Е.Б. Круликовскя, В.В. Миленин, Б.А. Нестеренко, С.Ю. Павелец, В.Н. Сарылов, В.М. Ткаченко, А.Д. Фаленчук. Укр. физ. журн., 34, 121 (1989)
- М.Н. Левин, В.Н. Семенов, О.В. Остапенко. Письма ЖТФ, 28 (10), 19 (2002)
- В.Н. Семенов, Е.М. Авербах, Я.А. Угай. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 26, 2030 (1990)
- Л.Д. Буденная, П.П. Горбик, В.Н. Комащенко, Г.А. Федорус, Э.В. Шаркина. ФТП, 13, 290 (1979)
- С.Ю. Павелец, Г.А. Федорус. ФТП, 9, 1164 (1975)
- Р.В. Кантария, С.Ю. Павелец. ФТП, 12, 1214 (1978)
- Г. Гарягдыев, Б.Р. Джумаев, И.Б. Ермолович, А.В. Любченко, А.М. Павелец, Г.А. Пащенко. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1990) вып. 17, с. 56
- В.В. Лосев, Б.М. Орлов, В.И. Стафеев. ФТП, 9, 41 (1975)
- Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, А.Н. Смоляр. Варизонные полупроводники (Киев, Выш. шк., 1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
