Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 6 » Статья стр. 841
<<<>>>
Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(Al)GaN для светодиодов зеленого диапазона
Сахаров А.В., Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Синицын М.А.1,2, Николаев А.Е.1,2, Усов С.О.1,2, Сизов В.С.1,2, Михайловский Г.А.1,2, Черкашин Н.А.2,3, Hytch M.3, Hue F.3, Яковлев Е.В.4, Лобанова А.В.4, Цацульников А.Ф.1,2
1Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при ФТИ им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration &Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
4OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
PDF версия
Исследованы процессы формирования активных областей для зеленых светодиодов на основе многослойных напряженных наногетероструктур InGaN/GaN. Показано, что на формирование таких структур существенное влияние оказывает релаксация упругих напряжений, приводящая к повышению встраивания индия в слои InGaN. Для структур, излучающих в синем спектральном диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 10 не приводит к релаксации напряжений и сдвигу длины волны излучения, в то время как для структур, излучающих в зеленом диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 5 приводит к монотонному увеличению длины волны излучения. PACS: 85.60.Jb, 81.15.Gh, 68.55.ag, 81.10.Aj, 81.05.Ea
  1. E.F. Schubert. Light-emitting diodes (Cambridge University Press, 2003)
  2. A. Zukauskas, M. Shur, R. Gaska. Introduction to Solid-State Lighting (J. Wiley \& Sons, N.Y., 2002)
  3. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 2
  4. http://compoundsemiconductor.net/cws/article/magazine/ 34344
  5. S.Yu. Karpov, R.A. Talalaev, E.V. Yakovlev, Yu.N. Makarov. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 639 (2001) G3.18
  6. M.J. Hytch, E.Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  7. HREM Research, http://www.hremresearch.com
  8. А.А. Арендаренко, И.Г. Ермошин, Ю.Н. Свешников, И.Н. Цыпленков. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф, "Нитриды галлия, индия и алюминия" (СПб, 2008) с. 123
  9. S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov. Thin Sol. Films, 380 (1/2), 71 (2000)
  10. Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 80 (12), 2099 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme