Вышедшие номера
Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN : Mg, выращенных методом МО ГФЭ
Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1, Заварин Е.Е.1, Синицын М.А.1, Николаев А.Е.1, Михайловский Г.А.1, Брунков П.Н.1, Гончаров В.В.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Магний является единственной легирующей примесью для получения слоев GaN p-типа проводимости методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Большая энергия активации магния в GaN требует высоких концентраций вводимой примеси, что приводит к ухудшению морфологии растущих слоев. В работе описано влияние режимов роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, легированных магнием. Показано, что морфология поверхности сильно легированных слоев зависит от среднего содержания магния в слое и значительно улучшается при использовании азота в качестве несущего газа. PACS: 81.05.Ea, 81.15.Gh, 61.72.uj, 68.37.Ps