Вышедшие номера
Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения
Аверкиев Н.С.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Проанализирована возможность использования нормального скин-эффекта для создания диэлектрического волновода для длинноволнового излучения. Предложен диэлектрический волновод, совмещенный с гетеролазером, сформированный из нелегированного слоя GaAs, окруженного сильно легированными слоями твердых растворов n- и p-AlxGa1-xAs, от которых, благодаря нормальному скин-эффекту, излучение отражается. Показано, что для создания эффективного волновода надо использовать слои твердого раствора n-AlxGa1-xAs с x<0.45, концентрацией электронов N>5·1018 см-3 и слои твердого раствора p-AlxGa1-xAs любого состава с концентрацией дырок P>=3·1019 см-3. PACS: 42.55.Px, 42.82.Et, 78.66.Fd