Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
Проанализирована возможность использования нормального скин-эффекта для создания диэлектрического волновода для длинноволнового излучения. Предложен диэлектрический волновод, совмещенный с гетеролазером, сформированный из нелегированного слоя GaAs, окруженного сильно легированными слоями твердых растворов n- и p-AlxGa1-xAs, от которых, благодаря нормальному скин-эффекту, излучение отражается. Показано, что для создания эффективного волновода надо использовать слои твердого раствора n-AlxGa1-xAs с x<0.45, концентрацией электронов N>5·1018 см-3 и слои твердого раствора p-AlxGa1-xAs любого состава с концентрацией дырок P>=3·1019 см-3. PACS: 42.55.Px, 42.82.Et, 78.66.Fd
- R. Kohler, A. Tredicucci, F. Beltram, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, D.A. Ritchie, R.C. Iotti, F. Rossi. Nature (London), 417, 156 (2002)
- M.A. Belkin, F. Capasso, A. Belyanin, D.L. Sivko, A.Y. Cho, D.C. Oakley, C.J. Vineis, G.W. Turner. Nature Photon., 1, 288 (2007)
- I.A. Dmitriev, R.A. Suris. Physica E, 40 (6), 2007 (2008)
- S.M. Nekorkin, A.A. Biryukov, P.B. Demina, N.N. Semenova, B.N. Zvonkov, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.I. Gavrilenko, K.V. Maremyanin, S.V. Morozov, A.A. Belyanin, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky. Appl. Phys. Lett., 90, 171 106 (2007)
- B.N. Zvonkov, A.A. Biryukov, E.V. Ershov, S.M. Nekorkin, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, A.A. Dubinov, K.V. Maremyanin, S.V. Morozov, A.A. Belyanin, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky. Appl. Phys. Lett., 92, 021 122 (2008)
- Н.С. Аверкиев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 41, 372 (2007)
- Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
- V. Berger, C. Sirtori. Semicond. Sci. Technol., 19, 964 (2004)
- J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53 (10), R123 (1982)
- Semiconductors. Group IV Elements and III--V Compounds, ed. by O. Madelung (Berlin etc., Springer-Verlag, 1991)
- Дж. Займан. Принципы теории твердого тела (М., Мир, 1974)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
- Ю.И. Балкарей, В.Г. Бару. Письма ЖЭТФ, 10, 324 (1969)
- К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
- S. Adachi. Physical properties of III-V semiconductor compounds (John Wiley \& Sons, Inc., 1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
