Вышедшие номера
Влияние буферного пористого слоя и легирования диспрозием на внутренние напряжения в гетероструктурах GaInP : Dy/por-GaAs/GaAs(100)
Середин П.В.1, Гордиенко Н.Н.1, Глотов А.В.1, Журбина И.А.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Шишков М.В.2
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

В структурах с буферным пористым слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласованием параметров кристаллических решеток эпитаксиального твердого раствора GaInP и подложки GaAs, перераспределяются в пористый слой, который играет роль буфера и способствует исчезновению внутренних напряжений. Аналогичные воздействия на внутренние напряжения в структуре пленка-подложка оказывает легирование эпитаксиального слоя диспрозием. PACS: 81.05.Rm, 81.40.Tv, 68.55.ag