Вышедшие номера
Уровень локальной зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в облученных нитридах wz-AIIIN (BN, AlN, GaN, InN)
Брудный В.Н.1, Кособуцкий А.В.2, Колин Н.Г.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
3Обнинский филиал ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) и метода специальных точек рассчитаны электронные спектры и энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, AlN, GaN и InN со структурой вюрцита с использованием различных эвристических моделей. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединениях wz-AIIIN имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны в соединениях BN и AlN в верхнюю половину запрещенной зоны в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AlN, n-тип проводимости GaN и n+-тип проводимости InN при насыщении нитридов wz-AIIIN собственными дефектами решетки при высокоэнергетическом облучении. PACS: 61.72.Bb, 61.72.up, 61.80.Az, 61.82.Fk