Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 10 » Статья стр. 1312
<<<>>>
Уровень локальной зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в облученных нитридах wz-AIIIN (BN, AlN, GaN, InN)
Брудный В.Н.1, Кособуцкий А.В.2, Колин Н.Г.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
3Обнинский филиал ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
PDF версия
На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) и метода специальных точек рассчитаны электронные спектры и энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, AlN, GaN и InN со структурой вюрцита с использованием различных эвристических моделей. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединениях wz-AIIIN имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны в соединениях BN и AlN в верхнюю половину запрещенной зоны в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AlN, n-тип проводимости GaN и n+-тип проводимости InN при насыщении нитридов wz-AIIIN собственными дефектами решетки при высокоэнергетическом облучении. PACS: 61.72.Bb, 61.72.up, 61.80.Az, 61.82.Fk
  1. S.G. Louie, J.E. Chelikowsky, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 13(6), 2461 (1976)
  2. F. Flores, C. Tejedor. J. Phys. C, 12, 731 (1979)
  3. W. Walukiewicz. J. Vac. Sci. Technol. B, 5(4), 1062 (1987)
  4. J.J. Rehr, W. Kohn. Phys. Rev. B, 20, 1981 (1974)
  5. J. Tersoff. Phys. Rev. Lett., 53, 465 (1984)
  6. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
  7. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B, 348, 213 (2004)
  8. E.T. Goodwin. Proc. Cambridge Phil. Soc., 35, 205 (1935)
  9. В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, Л.С. Смирнов. ФТП, 41(9), 1031 (2007)
  10. В.Е. Степанов. В сб.: Новые материалы электронной техники, под ред. Ф.А. Кузнецова (Новосибирск, Наука СО АН СССР, 1990) с. 26
  11. J. Tersoff, W.A. Harrison. J. Vac. Sci. Technol. B, 5(4), 1221 (1987)
  12. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. ФТП, 37(5), 557 (2003)
  13. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. Материаловедение, 3(72), 17 (2003)
  14. A.M. Rappe, K.M. Rabe, E. Kaxiras, J.D. Joannopoulos. Phys. Rev. B, 41(2), 1227 (1990)
  15. I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 94(6), 3675 (2003)
  16. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC and SiGe, eds M.E. Levinson, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (John Wiley \& Sons, Inc. New York (2001)) p. 67
  17. J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77(18), 3865 (1996)
  18. H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13(12), 5188 (1976)
  19. S. Baroni, A. Dal Corso, S. de Gironcoli, P. Giannozzi. http://www.pwscf.org/
  20. Z.H. Levine, D.C. Allan. Phys. Rev. Lett., 66(1), 41 (1991)
  21. V. Fiorentini, A. Baldereschi. Phys. Rev. B, 51(23), 17 196 (1995)
  22. L. Hedin. Int. J. Quant. Chem., 56(5), 445 (1995)
  23. В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 51(12), 24 (2008)
  24. M.P. Thompson, G.W. Auner, T.S. Zheleva et al. J. Appl. Phys., 89(6), 3331 (2001)
  25. J. Schormann, D.J. As, K. Lischka et al. Appl. Phys. Lett., 89, 26 903 (2006)
  26. A. Rubio, J.L. Corkill, M.L. Cohen, E.L. Shirley, S.G. Louie. Phys. Rev. B, 48(16), 11 810 (1993)
  27. M. Goano, E. Bellotti, E. Ghillino, G. Ghione, K.F. Brennan. J. Appl. Phys., 88(11), 6467 (2000)
  28. D. Fritsch, H. Schmidt, M. Grundmann. Phys. Rev. B, 67(23), 235 205 (2003)
  29. Т.В. Горкавенко, С.М. Зубкова, Л.Н. Русина. ФТП, 41(6), 661 (2007)
  30. J. Furthmuller, P.H. Hahn, F. Fuchs, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 72, 205 106 (2005)
  31. G. Cappellini, G. Satta, K. Tenelsen, F. Bechstedt. Phys. Status Solidi B, 217(2), 861 (2000)
  32. V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, R.P. Seisyan. Phys. Status Solidi B, 229, R1 (2002)
  33. W. Walukiewicz, S.X. Li, J. Wu et al. J. Cryst. Growth, 269, 119 (2004)
  34. P.D.C. King, T.D. Veal, P.H. Jefferson et al. Phys. Rev. B, 77, 045 316 (2008)
  35. W. Monch. J. Appl. Phys., 80(9), 5076 (1996)
  36. J. Robertson, B. Falabretti. J. Appl. Phys., 100(1), 014 111 (2006)
  37. C.G. Van de Walle, J. Neugebauer. Nature, 423, 626 (2006)
  38. S.-H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 2011 (1998)
  39. I. Mahboob, T.D. Veal, L.F.J. Piper et al. Phys. Rev. B 69, 201 307R (2004)
  40. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 49(8), 75 (2006)
  41. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov et al. J. Vac. Sci. Technol. B, 25(2), 436 (2007)
  42. P.H. Witte, A. Andre, M. Lisker et al. MRS Internet J. Nitride Semicond., Res. 5S1, Art. W11.82 (2000)
  43. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett et al. Appl. Phys. Lett., 68, 2541 (1996)
  44. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 50(5), 17(2006)
  45. S.X. Li, K.M. Yu, R.E. Jones et al. Phys. Rev. B, 71, 161 201 (R) (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme