Коротковолновый край собственной фотолюминесценции в слабых твердых растворах GaNxAs1-x
Гуткин А.А.1, Брунков П.Н.1, Егоров А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Предложено использовать анализ коротковолнового края собственной фотолюминесценции слабых твердых растворов GaNxAs1-x при комнатной температуре для исследования особенностей энергетической зависимости плотности состояний в зоне проводимости. Обнаружено, что в GaNxAs1-x при x>=0.002 эта зависимость не согласуется с моделью антипересечения зон и свидетельствует о появлении добавочных состояний. Последние связываются с возникновением взаимодействующих с зоной проводимости состояний кластеров азота, энергия которых находится не менее чем на 1.45 эВ выше потолка валентной зоны. PACS: 78.55.Cr, 71.20.Nr
- W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geish, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz, H.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Status Solidi B, 223, 75 (2001)
- C. Skierbiszewski, I. Gorczyca, S.P. Lepkowski, J. Lusakowski, J. Borysiuk, J. Toivonen. Semicond. Sci. Technol., 19, 1189 (2004)
- T.S. Moss, G.J. Burrell, B. Ellis. Semiconductor Opto-Electronics (Butterworth \& Co Ltd, 1973)
- P. Yu, M. Cardona. Fundamenals of Semiconductors: Physics and Material Properties (Springer, Berlin, 2005)
- А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, Ф.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, Н.Н. Берт, С.Г. Конников, M. Hopkinson, A. Patane, L. Eaves. ФТП, 40, 1192 (2006)
- A. Lindsay, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. Lett., 93, 196 402 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
