Вышедшие номера
Коротковолновый край собственной фотолюминесценции в слабых твердых растворах GaNxAs1-x
Гуткин А.А.1, Брунков П.Н.1, Егоров А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Предложено использовать анализ коротковолнового края собственной фотолюминесценции слабых твердых растворов GaNxAs1-x при комнатной температуре для исследования особенностей энергетической зависимости плотности состояний в зоне проводимости. Обнаружено, что в GaNxAs1-x при x>=0.002 эта зависимость не согласуется с моделью антипересечения зон и свидетельствует о появлении добавочных состояний. Последние связываются с возникновением взаимодействующих с зоной проводимости состояний кластеров азота, энергия которых находится не менее чем на 1.45 эВ выше потолка валентной зоны. PACS: 78.55.Cr, 71.20.Nr