Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Коротковолновый край собственной фотолюминесценции в слабых твердых растворах GaN_xAs_1-x

Гуткин А.А.¹, Брунков П.Н.¹, Егоров А.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 7 апреля 2009 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложено использовать анализ коротковолнового края собственной фотолюминесценции слабых твердых растворов GaN_xAs_1-x при комнатной температуре для исследования особенностей энергетической зависимости плотности состояний в зоне проводимости. Обнаружено, что в GaN_xAs_1-x при x>=0.002 эта зависимость не согласуется с моделью антипересечения зон и свидетельствует о появлении добавочных состояний. Последние связываются с возникновением взаимодействующих с зоной проводимости состояний кластеров азота, энергия которых находится не менее чем на 1.45 эВ выше потолка валентной зоны. PACS: 78.55.Cr, 71.20.Nr

W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geish, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz, H.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Status Solidi B, 223, 75 (2001)
C. Skierbiszewski, I. Gorczyca, S.P. Lepkowski, J. Lusakowski, J. Borysiuk, J. Toivonen. Semicond. Sci. Technol., 19, 1189 (2004)
T.S. Moss, G.J. Burrell, B. Ellis. Semiconductor Opto-Electronics (Butterworth \& Co Ltd, 1973)
P. Yu, M. Cardona. Fundamenals of Semiconductors: Physics and Material Properties (Springer, Berlin, 2005)
А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, Ф.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, Н.Н. Берт, С.Г. Конников, M. Hopkinson, A. Patane, L. Eaves. ФТП, 40, 1192 (2006)
A. Lindsay, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. Lett., 93, 196 402 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель