Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiBx-AuGe-n-GaP
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
Исследованы омические контакты Au-TiBx-AuGe-n-GaP до и после быстрой термической обработки при T=723, 773 и 873 K в течение 60 с в H2. Показано, что удельное контактное сопротивление с ростом температуры уменьшается в интервале 77-232 K, что обусловлено термоэлектронным механизмом токопрохождения в неоднородном омическом контакте, а в интервале 232-386 K возрастает, что может быть связано с проводимостью по металлическим шунтам. PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns
- M.H. Park, L.S. Wang, D.C. Dufner, Fei Deng, S.S. Lau, I.H. Tan, F. Kish. J. Appl. Phys., 81 (7), 3138 (1997)
- L.S. Wang, M.H. Park, H.A. Jorge, I.H. Tan, F. Kish. Electron. Lett., 82 (4), 409 (1996)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
- C.F. Lin, D.B. Ingerly, Y.A. Chang. Appl. Phys. Lett., 69 (23), 3543 (1996)
- И.Г. Васильев, Г.Г. Боева, В.Н. Курасов, И.В. Рыжиков, И.И. Круглов. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, 3, 65 (1970)
- K.K. Shin, J.M. Blum. Sol. St. Electron., 15 (11), 1177 (1972)
- Р.С. Игнаткина, Р.Н. Кривошеева, С.С. Мескин, В.Н. Равич, Н.Ф. Сильвестрова. ПТЭ, 5, 215 (1968)
- А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, М.У. Насыров, П.В. Неволин. Тр. XVII Межд. совещ. "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, Украина, 2008 (М., МГИЭМ, 2008) с. 194
- А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, А.Б. Камалов, Л.Н. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, М.У. Насыров, П.В. Неволин. Тр. Межд. конф. "Научно-технический прогресс и современная авиация" (Баку, Азербайджан, 2009) с. 283
- H. Nakatsuka, A.J. Domenico, G.L. Pearson. Sol. St. Electron., 14, 849 (1971)
- О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, В.А. Пилипенко. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС (Харьков, НТК "Институт монокристаллов", 2008)
- A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, V.N. Sheremet. SPQEO, 11 (3), 209 (2008)
- A.G. Baca, F. Ren, J.C. Zolper, R.D. Briggs, S.J. Pearton. Thin Sol. Films, 308-309, 599 (1997)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
- А.Н. Андреев, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, С.А. Решанов. ФТП, 32 (7), 832 (1998)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
- В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
- С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения AIIIBV. Справочник (М., Металлургия, 1984)
- Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
- Х. Кухлинг. Справочник по физике (М., Мир, 1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
