Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 11 » Статья стр. 1564
<<<>>>
Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN
Марков Л.К.1, Смирнова И.П.1, Павлюченко А.С.1, Аракчеева Е.М.1, Кулагина М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
PDF версия
Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм)/Ag(220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni(1.5 нм)/Ag(220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3.7· 10-3 Ом·см2. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2.5-5.0 нм. PACS: 81.16.-z
  1. K.-H. Shim, M.C. Paek, B.T. Lee, C. Kim, J.Y. Kang. Appl. Phys. A, 72, 471 (2001)
  2. D.W. Kim, Y.J. Sung, J.W. Park, G.Y. Yeom. Thin Sol. Films, 398-- 399, 87 (2001)
  3. C.S. Chang, S.J. Chang, Y.K. Su, Y.C. Lin, Y.P. Hsu, S.C. Shei, S.C. Chen, C.H. Liu, U.H. Liaw. Semicond. Sci. Technol., 18, L21 (2003)
  4. Y.C. Lin, S.J. Chang, Y.K. Su, T.Y. Tsai, C.S. Chang, S.C. Shei, C.W. Kuo, S.C. Chen. Sol. St. Electron., 47, 849 (2003)
  5. J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gorz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  6. D.A. Zakheim, I.P. Smirnova, E.M. Arakcheeva, M.M. Kulagina, S.A. Gurevich, I.V. Rozhansky, V.W. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Sakharov, A.V. Fomin, A.I. Zakheim, E.D. Vasil'eva, G.V. Itkinson. Physica Status Solidi C, 1, 2401 (2004)
  7. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39, 885 (2005)
  8. И.П. Смирнов, Д.А. Закгейм, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. (М., 2007) с. 63
  9. Jong Kyu Kim, T. Gessmann, E. Fred Schubert. Appl. Phys. Lett., 88, 013 501 (2006)
  10. И.П. Смирнова, Д.А. Закгейм, М.М. Кулагина, Л.К. Марков. Тез. докл, 4-й Всеросс. конф. (СПб., 2005) с. 134
  11. X.A. Cao, S.J. Pearton, A.P. Zhang, G.T. Dang, F. Ren, R.J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, J.M. van Hove. Appl. Phys. Lett., 75, 2569 (1999)
  12. T. Margalith, O. Buchinsky, D.A. Cohen, A.C. Abare, M. Hansen, S.P. DenBaars, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., 74, 3930 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme