Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 11 » Статья стр. 1570
<<<>>>
Эпитаксия ZnSe на GaAs при использовании в качестве источника соединения ZnSe
Супрун С.П.1, Шерстякова В.Н.1, Федосенко Е.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
PDF версия
Исследованы особенности молекулярно-лучевой эпитаксии субмикронных слоев ZnSe на подложках GaAs (001) при использовании в качестве источника соединения ZnSe в зависимости от исходного состояния поверхности подложки и ее температуры. Показано, что после формирования гетерограницы "избыточный" Ga остается на поверхности растущей пленки, определяя при температуре выше 250oC скорость ее роста. Согласно измеренным спектрам низкотемпературной люминесценции, 240oC является оптимальной температурой получения слоев данным способом. PACS: 81.10.Aj, 81.10.Dn, 81.15.Hi, 73.61.Ga, 85.40.Ry
  1. S.P. Suprun, V.N. Sherstiakova, I.G. Neizvestny, V.N. Shumsky. J. Phys. Low-Dim. Structur., 1, 67 (1995)
  2. K.M. Koh, M.W. Cho, Z. Zhu, T. Hanada, K.H. Yoo, M. Isshiki, T. Yao. J. Cryst. Growth, 186, 528 (1998)
  3. M.Yoneta, H. Saito, M. Ohishi. J. Cryst. Growth, 138, 110 (1994)
  4. F.S. Gard, J.D. Riley, M.G. Dowsett, K. Prince. Appl. Surf. Sci., 203- 204, 490 (2003)
  5. V.H. Mendez-Garsia, M. Lopez-Lopez, A. Lastras-Martinez, M.A. Vidal, J. Luyo-Alvarado, M. Melendez-Lira, K. Momose, H. Yonezu. J. Cryst. Growth, 227- 228, 639 (2001)
  6. Satoshi Yamauchi, Takashi Hariu, Koicchi Matsushita. Jpn. J. Appl. Phys., 26, L893 (1987)
  7. Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Д.Д. Недеогло. ФТП, 31 (11), 1327 (1997)
  8. Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Н.Д. Недеогло, Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. ФТП, 32 (2), 178 (1998)
  9. J.S. Song, J.H. Chang, D.C. Oh, J.J. Kim, M.W. Cho, H. Makino, T. Hanada, T. Yao. J. Cryst. Growth, 249, 128 (2003)
  10. J.S. Song, S.H. Seo, M.H. Oh, J.H. Chang, M.W. Cho, T. Yao. J. Cryst. Growth, 261, 159 (2004)
  11. Т.А. Гаврилова, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Письма ЖТФ, 21 (1), 729 (1995)
  12. M. Lopez-Lopez, A. Guillen-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, I. Hernandez-Calderon. J. Cryst. Growth, 193, 528 (1998)
  13. S.P. Kowalczyk, E.A. Kraut, J.R. Waldrop, R.W. Grant. J. Vac. Sci. Technol., 21, 482 (1982)
  14. J.R. Waldrop, R.W. Grant, E.A. Kraut. J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 1209 (1987)
  15. И.Г. Неизвестный, С.П. Супрун, А.Б. Талочкин, В.Н. Шумский, А.В. Ефанов. ФТП, 35, 1135 (2000)
  16. A. Yoshikawa, S. Muto, S. Yamaga, H. Kasai. J. Cryst. Growth, 86, 279 (1998)
  17. P.J. Dean, D.C. Herbert. Phys. Rev. B, 23, 4888 (1981)
  18. S.P. Suprun, A.B. Talochkin, A.K. Gutakovsky, V.N. Shumsky. J. Phys. Low-Dim. Structur., 1, 59 (1995)
  19. Th. Gleim, C. Heske, E. Umbach, C. Schumacher, S. Gundel, W. Faschinger, A. Fleszar, Ch. Ammon, M. Probst, H.-P. Steinruck. Surf. Sci., 531, 77 (2003)
  20. M.D. Pashley. Phys. Rev. B, 40, 10 481 (1989)
  21. I. Kamiya, D.E. Aspnes, L.T. Florez, J.P. Harbison. Phys. Rev. B, 46, 15 894 (1992)
  22. P. Goldfinger, M. Jeunehomme. Trans. Faraday Soc., 59, 2851 (1963)
  23. L.E. Rumaner, J.L. Gray, F.S. Ohuchi. J. Cryst. Growth, 177, 17 (1997)
  24. C.E.M. Camposa, J.C. de Limaa, T.A. Grandia, K.D. Machadoa, P.S. Pizanib. Sol. St. Commun., 126, 611 (2003)
  25. F.A. Trumbore. Bell Syst. Tech. J., 39, 205 (1960)
  26. M. Kawanaka, J. Sone. J. Electron. Mater., 19, 575 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme