Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электролюминесценция в гетероструктурах II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице
Михайлова М.П.1, Иванов Э.В.1, Моисеев К.Д.1, Яковлев Ю.П.1, Hulicius E.2, Hospodkova A.2, Pangrac J.2, vSimevcek T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Institute of Physics, Academy of Sciences of Czech Republic, v.v.i., Prague, Czech Republic
2Institute of Physics, Academy of Sciences of Czech Republic, v.v.i., Prague, Czech Republic
Поступила в редакцию: 1 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
Исследованы люминесцентные характеристики асимметричных гетероструктур II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдалась в интервале энергий фотонов 0.3-0.4 эВ при прямом и обратном смещении соответственно. Изучены зависимости спектров и интенсивности для положительной и отрицательной люминесценции от тока накачки, а также температуры в диапазоне 77-380 K. Установлено, что при температуре свыше 75oC отрицательная люминесценция превосходит по интенсивности положительную люминесценцию на 60%. Предложенные гетероструктуры могут быть использованы в качестве светодиодов(фотодиодов) с переключаемой положительной и отрицательной люминесценцией в среднем ИК-спектральном диапазоне 3-4 мкм.
- A. Nakagawa, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett., 54 (19), 1893 (1989)
- R. Teissier, D. Barate, A. Vicet, C. Alibert, A.N. Baranov, C. Marcadet, C. Renard, M. Garcia, C. Sirtori, D. Revin, J. Cockburn. Appl. Phys. Lett., 85 (2), 167 (2004)
- W. Kruppa, M.J. Yang, B.R. Bennett, J.B. Boos. Appl. Phys. Lett., 85 (5), 774 (2004)
- R.E. Carnahan, M.A. Maldonado, K.P. Martin, A. Nogaret, R.J. Higgins, L.A. Cury, D.K. Maude, J.C. Portal, J.F. Chen, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 62 (12), 1385 (1993)
- N. Kuze, K. Nagase, S. Muramatsu, S. Miya, T. Iwabuchi, A. Ichii, I. Shibasaki. J. Cryst. Growth, 150 (pt 2), 1307 (1995)
- K.D. Moiseev, E.V. Ivanov, G.G. Zegrya, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, K. Melichar, T. Simecek. Appl. Phys. Lett., 88 (13) 132 102 (2006)
- Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Ф. Липаев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 40 (5), 519 (2006)
- L.F. Luo, R. Beresford, W.I. Wang. Appl. Phys. Lett., 55 (19), 2023 (1989)
- S. Ideshita, A. Furukawa, Y. Mochizuki, M, Mizuta. Appl. Phys. Lett., 60 (20), 2549 (1992)
- Fu-Cheng Wang, W.E. Zhang, C.H. Yang, M.J. Yang, B.R. Bennett. Appl. Phys. Lett., 69 (10), 1417 (1996)
- M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, T.I. Voronina, T.S. Lagunova, Yu.P. Yakovlev. J. Appl. Phys., 102 (11), 113 710 (2007)
- H. Sakaki, Y. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Matsusue. Appl. Phys. Lett., 51 (23), 1934 (1987)
- K. Schmalz, I.N. Yassievich, E.J. Collart, D.J. Gravesteijn. Phys. Rev. B, 54 (23), 16 799 (1996)
- S. Sasa, M. Nakai, M. Furukawa, M. Inoue, D. Larrabee, J. Kono. Proc. 12th Int. Conf. Narrow Gap Semiconductors (Toulouse, France, 2005) [Inst. Phys. Conf. Ser. 187], ed. by J. Kono, J. Leotin (N. Y.--London, Taylor \& Francis Group, 2006) pt IV, p. 363.
- Д.Г. Андрианов, В.В. Каратаев, Г.В. Лазарева, Ю.Б. Муравлев, А.С. Савельев. ФТП, 11, 1252 (1977)
- M.P. Mikhailova, G.G. Zegrya, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, 673 (1996)
- Handbook Series of Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur (Singapore--N. Y.--London--Hong Kong, World Scientific Publishing, 1996) v. 1
- В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41 (3), 257 (2007)
- T. Ashley, G.R. Nash. In: Mid-Infrared Semiconductor Optoelectrics (Springer Series in Optical Science) ed. by A. Krier (London, Springer-Verlag, 2006) pt III, p. 453
- M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber, C.C. Phillips. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3437 (1999)
- L.J. Olafsen, I. Vurtgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, E.H. Aifer, J.R. Meyer, J.R. Waterman, W. Mason. Appl. Phys. Lett., 74 (18), 2681 (1999)
- F. Marczinowskii, J. Wiebe, J.-M. Tang, M.E. Flatte, F. Meier, M. Morgenstern, R. Wiesendanger. Phys. Rev. Lett., 99 (15), 157 202 (2007)
- Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (3), 351 (1999)
- M.P. Mikhailova, I.A. Andreev, K.D. Moiseev, E.V. Ivanov, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, K. Melichar, T. Simecek. Proc. SPIE, 7138, 713 813 (2008)
- T. Ashley, J.G. Crowder, V.P. Mannheim, S.D. Smith. PCT patent applicattion WO 00/02263. Published Jan. 13, 2000.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
