Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 1 » Статья стр. 69
<<<>>>
Электролюминесценция в гетероструктурах II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице
Михайлова М.П.1, Иванов Э.В.1, Моисеев К.Д.1, Яковлев Ю.П.1, Hulicius E.2, Hospodkova A.2, Pangrac J.2, vSimevcek T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute of Physics, Academy of Sciences of Czech Republic, v.v.i., Prague, Czech Republic
Поступила в редакцию: 1 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
PDF версия
Исследованы люминесцентные характеристики асимметричных гетероструктур II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдалась в интервале энергий фотонов 0.3-0.4 эВ при прямом и обратном смещении соответственно. Изучены зависимости спектров и интенсивности для положительной и отрицательной люминесценции от тока накачки, а также температуры в диапазоне 77-380 K. Установлено, что при температуре свыше 75oC отрицательная люминесценция превосходит по интенсивности положительную люминесценцию на 60%. Предложенные гетероструктуры могут быть использованы в качестве светодиодов(фотодиодов) с переключаемой положительной и отрицательной люминесценцией в среднем ИК-спектральном диапазоне 3-4 мкм.
  1. A. Nakagawa, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett., 54 (19), 1893 (1989)
  2. R. Teissier, D. Barate, A. Vicet, C. Alibert, A.N. Baranov, C. Marcadet, C. Renard, M. Garcia, C. Sirtori, D. Revin, J. Cockburn. Appl. Phys. Lett., 85 (2), 167 (2004)
  3. W. Kruppa, M.J. Yang, B.R. Bennett, J.B. Boos. Appl. Phys. Lett., 85 (5), 774 (2004)
  4. R.E. Carnahan, M.A. Maldonado, K.P. Martin, A. Nogaret, R.J. Higgins, L.A. Cury, D.K. Maude, J.C. Portal, J.F. Chen, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 62 (12), 1385 (1993)
  5. N. Kuze, K. Nagase, S. Muramatsu, S. Miya, T. Iwabuchi, A. Ichii, I. Shibasaki. J. Cryst. Growth, 150 (pt 2), 1307 (1995)
  6. K.D. Moiseev, E.V. Ivanov, G.G. Zegrya, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, K. Melichar, T. Simecek. Appl. Phys. Lett., 88 (13) 132 102 (2006)
  7. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Ф. Липаев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 40 (5), 519 (2006)
  8. L.F. Luo, R. Beresford, W.I. Wang. Appl. Phys. Lett., 55 (19), 2023 (1989)
  9. S. Ideshita, A. Furukawa, Y. Mochizuki, M, Mizuta. Appl. Phys. Lett., 60 (20), 2549 (1992)
  10. Fu-Cheng Wang, W.E. Zhang, C.H. Yang, M.J. Yang, B.R. Bennett. Appl. Phys. Lett., 69 (10), 1417 (1996)
  11. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, T.I. Voronina, T.S. Lagunova, Yu.P. Yakovlev. J. Appl. Phys., 102 (11), 113 710 (2007)
  12. H. Sakaki, Y. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Matsusue. Appl. Phys. Lett., 51 (23), 1934 (1987)
  13. K. Schmalz, I.N. Yassievich, E.J. Collart, D.J. Gravesteijn. Phys. Rev. B, 54 (23), 16 799 (1996)
  14. S. Sasa, M. Nakai, M. Furukawa, M. Inoue, D. Larrabee, J. Kono. Proc. 12th Int. Conf. Narrow Gap Semiconductors (Toulouse, France, 2005) [Inst. Phys. Conf. Ser. 187], ed. by J. Kono, J. Leotin (N. Y.--London, Taylor \& Francis Group, 2006) pt IV, p. 363.
  15. Д.Г. Андрианов, В.В. Каратаев, Г.В. Лазарева, Ю.Б. Муравлев, А.С. Савельев. ФТП, 11, 1252 (1977)
  16. M.P. Mikhailova, G.G. Zegrya, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, 673 (1996)
  17. Handbook Series of Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur (Singapore--N. Y.--London--Hong Kong, World Scientific Publishing, 1996) v. 1
  18. В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41 (3), 257 (2007)
  19. T. Ashley, G.R. Nash. In: Mid-Infrared Semiconductor Optoelectrics (Springer Series in Optical Science) ed. by A. Krier (London, Springer-Verlag, 2006) pt III, p. 453
  20. M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber, C.C. Phillips. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3437 (1999)
  21. L.J. Olafsen, I. Vurtgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, E.H. Aifer, J.R. Meyer, J.R. Waterman, W. Mason. Appl. Phys. Lett., 74 (18), 2681 (1999)
  22. F. Marczinowskii, J. Wiebe, J.-M. Tang, M.E. Flatte, F. Meier, M. Morgenstern, R. Wiesendanger. Phys. Rev. Lett., 99 (15), 157 202 (2007)
  23. Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (3), 351 (1999)
  24. M.P. Mikhailova, I.A. Andreev, K.D. Moiseev, E.V. Ivanov, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, K. Melichar, T. Simecek. Proc. SPIE, 7138, 713 813 (2008)
  25. T. Ashley, J.G. Crowder, V.P. Mannheim, S.D. Smith. PCT patent applicattion WO 00/02263. Published Jan. 13, 2000.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme