Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 1 » Статья стр. 96
<<<>>>
Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440-470 нм
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Сахаров А.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Усов С.О.1,2, Николаев А.Е.1,2, Черкашин Н.А.1,3, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Мизеров М.Н.2, Park Hee Seok4, Hytch M.3, Hue F.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration & Structural Studies of the National Center for Scientific Research, Toulouse, France
4Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd., Suwon, Gyunggi-Do, Korea
Поступила в редакцию: 8 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
PDF версия
Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств светодиодных структур с активной областью на основе сверхтонких InGaN-квантовых ям, ограниченных с обеих сторон короткопериодными сверхрешетками InGaN/GaN. Исследованы зависимости эффективности излучения от дизайна активной области. Показано, что использование InGaN/GaN в качестве ограничивающих варизонных короткопериодных сверхрешеток позволяет существенно увеличить квантовую эффективность излучения.
  1. Jinqiao Xie, Xianfeng Ni, Qian Fan, Ryoko Shimada, Umit Ozgur, Hadis Morko c. Appl. Phys. Lett., 93, 121 107 (2008)
  2. Martin F. Schubert, Jiuru Xu, Jong Kyu Kim, E. Fred Schubert, Min Ho Kim, Sukho Yoon, Soo Min Lee, Cheolsoo Sone, Tan Sakong, Yongjo Park. Appl. Phys. Lett., 93, 041 102 (2008)
  3. J.K. Sheu, G.C. Chi, M.J. Jou. Photon. Technol. Lett., 13 (11), 1164 (2001)
  4. Fun-Hyun Park, Jin Jang, Shalini Gupta, Ian Ferguson, Soo-Kun Jeon, Jae-Gu Lim, Jun-Serk Lee, Cheol-Hoi Kim, Joong-Seo Park. Appl. Phys. Lett., 93, 101 112 (2008)
  5. M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  6. HREM Research, http://www.hremresearch.com
  7. А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43 (6), 841 (2009)
  8. А.А. Арендаренко, И.Г. Ермошин, Ю.Н. Свешников, И.Н. Цыпленков. Тез. докл. VI Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., 18-20 июня 2008 г.) с. 123
  9. M.D. McCluskey, L.T. Romano, B.S. Krusor, N.M. Johnson, T. Suski, J. Jun. Appl. Phys. Lett., 73 (9), 1281 (1998)
  10. Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 8 (12), 2099 (2002)
  11. Sung-Nam Lee, H.S. Paek, J.K. Son, H. Kim, K.K. Kim, K.H. Ha, O.H. Nam, Y. Park. J. Electroceram. Springer Science + Business Media, LLC (2008) DOI 10.1007/s10832-008-9478-2
  12. M. Takeya, T. Mizuno, T. Sasaki, S. Ikeda, T. Fugimoto, Y. Ohfuji, K. Oikawa, Y. Yabuki, S. Uchida, M. Ikeda. Phys. Status Solidi C, 0, 2092 (2003)
  13. O.H. Nam, K.H. Ha, J.S. Kwak, S.N. Lee, K.K. Choi, T.H. Chang, S.H. Chae, W.S. Lee, Y.J. Sung, H.S. Paek, J.H. Chae, T. Sakong, Y. Park. Phys. Status Solidi C, 0, 2278 (2003)
  14. R.G. Wilson, F.A. Stevie, C.W. Magee. Secondary Ion Mass Spectrometry. A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis (Wiley, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme