Вышедшие номера
Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440-470 нм
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Сахаров А.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Усов С.О.1,2, Николаев А.Е.1,2, Черкашин Н.А.1,3, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Мизеров М.Н.2, Park Hee Seok4, Hytch M.3, Hue F.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration & Structural Studies of the National Center for Scientific Research, Toulouse, France
4Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd., Suwon, Gyunggi-Do, Korea
Поступила в редакцию: 8 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств светодиодных структур с активной областью на основе сверхтонких InGaN-квантовых ям, ограниченных с обеих сторон короткопериодными сверхрешетками InGaN/GaN. Исследованы зависимости эффективности излучения от дизайна активной области. Показано, что использование InGaN/GaN в качестве ограничивающих варизонных короткопериодных сверхрешеток позволяет существенно увеличить квантовую эффективность излучения.