Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si
Пагава Т.А.1, Майсурадзе Н.И.1
1Грузинский технический университет, Республиканский центр структурных исследований (РЦСИ), Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 29 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6·1013 см-3 исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8.1·1012 см-2, эффективное значение подвижности электронов проводимости mueff резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов.
- И. Броудай, Дж. Мерей. Физические основы микротехнологии, пер. с англ. под ред. А.В. Шальнова (М., Мир, 1985)
- В.С. Вавилов, Б.Н. Горин, Н.С. Данилин. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Радио и связь, 1990)
- В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
- В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
- В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков. ФТП, 13, 625 (1979)
- В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков. ФТП, 14, 1924 (1980)
- Р.Ф. Коноплева, В.Л. Литвинов, Н.А. Ухин. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий (М., Атомиздат, 1971)
- Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь. 1990)
- И.В. Антонова, С.С. Шаймеев, С.А. Смагулова. ФТП, 40, 557 (2006)
- Р.Ф. Коноплева, В.И. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с кремнием (М., Атомиздат, 1975)
- А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, Наука, 1991)
- Н.А. Ухин. ФТП, 6, 831 (1972)
- Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
- Л.С. Милевский, Т.М. Ткачева, Т.А. Пагава. ЖЭТФ, 69, 2132 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук