Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)

Середин П.В.¹, Глотов А.В.¹, Домашевская Э.П.¹, Арсентьев И.Н.², Винокуров Д.А.², Тарасов И.С.², Журбина И.А.³

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 8 июня 2009 г.

Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода.

G. Timo, C. Flores, R. Campesato. Crystal Research and Technology, 40 (10--11), 1039 (2005)
А.В. Бойцов, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43 (2), 278 (2009)
Paul D. Markowitz, Michel P. Zach, Patrick C. Gibbons, R.M. Penner, William E. Buhro. J. Amer. Chem. Soc., 123 (19), 4502 (2001)
S. Fleischer, C.D. Beling, S. Fung. J. Appl. Phys., 81 (1), 190 (1997)
П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП 43 (12) (2009)
Yu.A. Goldberg. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters, eds by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Sci., London, 1999) v 2, pt 1
A. Gaber, H. Zillgen, P. Ehrhart, P. Partyka, R.S. Averback. Appl. Phys., 82, 5348 (1997)
W. Hayers, R. Loudon. Scattering of Light by Crystals (John Wiley \& Sons, N.Y., 1978)
M. Bulbul, G.D. Farran, S.R.P. Smith. Eur. Phys. J. B, 24 (3), 6 (2001)
B. Jusserand, J. Sapriel. Phys. Rev. B, 24, 7194 (1981)
Moonsuk Seon. Thesis. Texas Tech University (1999)
A.J. Moll, E.E. Haller, J.W. Agedll, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 65, 1145 (1994)
J. Wagner, R.C. Newman, B.R. Davidson, S.P. Westwater, T.J. Bullough, T.B. Joyce, C.D. Latham, R. Jones, S. Oberg. Phys. Rev. Lett., 78, 74 (1997)
V. Swaminathan, J.L. Zilko, W.T. Tsang, W.R. Wagner. J. Appl. Phys., 53, 5163 (1982)
Hong Wang, Geok Ing Ng, Haiqun Zheng, Penghua Zhang. J. Appl. Phys., 86, 11 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель