Кинетика двумерных электронов с учетом рассеяния на резонансном состоянии
Кипа М.С.1,2, Алексеев П.С.1, Яссиевич И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иофе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
Изучена кинетика электронов в двух подзонах квантовой ямы при наличии сильного ускоряющего электрического поля вдоль интерфейсов, рассеяния на оптических и акустических фононах, а также рассеяния на резонансном квазистационарном состоянии, связанном с наличием мелких доноров. Резонансное рассеяние учитывается в рамках известной модели Брейта-Вигнера. Функция распределения строится при помощи метода "случайных блужданий" Монте-Карло. Рассеяние на резонансном состоянии приводит к накоплению электронов вблизи резонансного состояния и в целом к существенной модификации функции распределения стриммингового режима. Получена зависимость относительной заселенности рассматриваемых подзон от температуры решетки.
- В.Я. Алешкин, Л.В. Гавриленко, М.А. Одноблюдов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 42, 899 (2008)
- А.А. Прокофьев, М.А. Одноблюдов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 35, 586 (2001)
- A.O. Zakhar'in, A.V. Andrianov, V.A. Shalygin, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, A.N. Sofronov, V.Yu. Panevin, A.E. Zhukov, V.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, N.N. Zinov'ev. Abstracts of 2008 Annual Meeting of European Optical Society (EOS-2008), Terahertz --- Science and Technology (Paris, France, Sept. 29-Oct. 2, 2008) v. 2, p. 79; А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, В.А. Шалыгин, Д.А. Фирсов, Л.Е. Воробьев, А.Н. Софронов, В.Ю. Паневин, А.Е. Жуков, В.С. Михрин, А.П. Васильев, Н.Н. Зиновьев. Тез. докл. Межд. сем. по опто- и наноэлектронике (СПб., 27 октября 2008) с. 28
- А.А. Андронов. ФТП, 21, 1153 (1987)
- M.A. Odnoblyudov, A.A. Prokofiev, I.N. Yassievich, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 70, 115 209 (2004)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика ( Нерелятивистская теория) (М., Физматлит, 2002) с. 666, 731
- M. Helm, F.M. Peeters, F. DeRosa, E. Colas, H.P. Harbison, L.T. Florez. Phys. Rev. B, 43, 13 983 (1991)
- П.С. Алексеев, М.С. Кипа, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 133, 921 (2008)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) с. 426
- В.М. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984) с. 40
- В. Карпус. ФТП, 20, 12 (1986)
- C. Jacobini, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 55, 645 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.