Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире

Ратников В.В.¹, Кютт Р.Н.¹, Иванов С.В.¹, Щеглов М.П.¹, Baar A.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Технический университет Брауншвейга, Брауншвейг, Германия

Поступила в редакцию: 1 июня 2009 г.

Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Деформация и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, изучались с помощью высокоразрешающей рантгеновской дифрактометрии. Деформационное состояние определялось по измерениям макроизгиба образцов. Структурное совершенство слоев анализировалось на основе измерения дифракции в геометриях Брегга и Лауэ с использованием theta- и (theta-2theta)-мод сканирования. Найдено, что полученные слои (Zn/O > 1) испытывают биаксиальные растягивающие напряжения, в то время как для Zn/O <1 напряжения отсутствуют. Из уширения дифракционных пиков рассчитывается плотность дислокаций различного типа и геометрии залегания.

U. Ouzgur, Ya.I. Avilov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkov c. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
Y.F. Chen, S.K. Hong, H.J. Ko, V. Kirshner, H. Wensich, T. Yao, R. Inaba, Y. Segawa. Appl. Phys. Lett., 78, 3352 (2001)
A. Bakin, F.El-Shaer, A.C. Mofor, M. Kreye, A. Waag, F. Bertram, J. Christen, M. Heuken, J. Stoimenos. J. Cryst. Growth, 287, 7 (2006)
V.V. Ratnikov, R.N. Kyutt, T.V. Shubina, T. Pashkova, B. Monemar. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, A30 (2001)
G.A. Rozgonii, T.J. Ciesielka. Rev. Sci. Instrum., 44, 1053 (1973)
P.Y. Fewster, A. Andrew. J. Appl. Cryst., 20, 451 (1995)
G.G. Stoney. Proc. Royal Soc. (London), A, 82, 172 (1909)
T.B. Bateman. J. Appl. Phys., 35, 3309 (1962)
J. Albertsson, S.C. Abrahams, A. Kvick. Acta Crystallogr. B, 45, 34 (1989)
S.H. Park, T. Hanada, D.C. Oh, T. Minegishi, H. Goto, G. Fujimoto, J.S. Park, I.H. Im, J.H. Chang, M.W. Cho, T. Yao, K. Inaba. Apl. Phys. Lett., 91, 231 904 (2007)
V. Sricant, J.S. Speck, D.R. Clarke. J. Appl. Phys., 82, 4286 (1997)
S.V. Ivanov, A.El-Shaer, O.G. Lyubinskaya, N.M. Shmidt, S.B. Listoshin, R.N. Kyutt, V.V. Ratnikov, A.I. Terentyev, M.Al-Suleiman, A. Bakin, T.A. Komissarova, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov, A. Wang. J. Korean Phys. Soc., 53, pt 2, Sp. Iss. SI-5, 3016 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель