Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs на стадии охлаждения
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия 
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 5 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.
Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда, активной легирующей примеси и распределения электрического поля в приповерхностном слое гидрогенизированного p-GaAs в процессе охлаждения образца после окончания этапа введения водорода. Показано, что вид конечных концентрационных профилей водородсодержащих частиц и распределение внутреннего электрического поля в гидрогенизированном слое p-GaAs зависят от температурно-временного режима охлаждения образца. Степень влияния скорости охлаждения на конечное состояние гидрогенизированного слоя увеличивается по мере уменьшения уровня легирования полупроводника. Приводятся и обсуждаются закономерности формирования конечного состояния системы водород-кристалл в зависимости от скорости охлаждения образца.
- S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Springer-Verlag, 1991) p. 374
- Ф.П. Коршунов, Н.Ф. Курилович, Т.А. Прохоренко, В.К. Шешолко, Ю.А. Бумай. Вопросы атомной науки и техники, 2, 38 (2001)
- И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов. ФТП, 32, 1089 (1998)
- Ю.А. Бумай, Г. Гобш, Р. Гольдхан, Н. Штайн, А. Голомбек, В. Наков, Т.С. Ченг. ФТП, 36, 211 (2002)
- M. Geddo, R. Pezzuto, M. Capizzi, A. Polimeni, D. Gollub, M. Fischer, A. Forchel. Eur. Phys. J. B, 30, 39 (2002)
- G. Pettinari, F. Masia, A. Polimeni, M. Felici, A. Frova, M. Capizzi, A. Lindsay, E.P. O'Reilly, P.J. Klar, W. Stolz. Phys. Rev. B, 74, 245 202 (2006)
- Yao Yan-Ping, Liu Chun-Ling, Qiao Zhong-Liang, Li Mei, Gao Xin, Bo Bao-Xue. Chinese Phys. Lett., 25, 1071 (2008)
- B. Herzog, B. Raabe, G. Hahn. Proc. 22nd Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Milan, 2007) p. 1722
- H.G. Svavarsson1, D.M. Danielsson, J.T. Gudmundsson. Proc. 23rd Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Valencia, 2008) p. 2221
- В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 32, 1343 (1998)
- U.P. Singh. Bull. Mater. Sci., 21, 155 (1998)
- В.А. Кагадей, Е.В. Нефёдцев, Д.И. Проскуровский, С.В. Романенко, Л.С. Широкова. Письма ЖТФ, 29, 27 (2003)
- R. Farshchi, E.V. Chopdekar, Y. Suzuki, P.D. Ashby, I.D. Sharp, J.W. Beeman, E.E. Haller, O.D. Dubon. Phys. Status Solidi, C 4, 1755 (2007)
- M. Capizzi, A. Mittaga. Appl. Phys. Lett., 50 (14), 918 (1987)
- V.A. Kagadei, E.V. Nefyodtsev, D.I. Proskurovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 19, 1871 (2001)
- В.А. Кагадей, Е.В. Нефёдцев. ФТП, 43, 128 (2009)
- S.J. Pearton, W.C. Dautremont-Smith, J. Chevallier, C.W. Tu, K.D. Cummings. J. Appl. Phys., 58, 2821 (1986)
- J.C. Mikkelsen, jr. Appl. Phys. Lett., 46, 882 (1985)
- J.I. Pankove, P.J. Zanzucchi, C.W. Magee. Appl. Phys. Lett., 46, 421 (1985)
- J.I. Pankove, C.W. Magee, R.O. Wance. Appl. Phys. Lett., 47 (7), 748 (1985)
- Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, А.В. Говорков, О.М. Бородина, А.С. Брук. ФТП, 22, 1203 (1988)
- Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков. Высокочистые вещества, 5, 5 (1988)
- J. Chevallier, M. Aucouturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
- В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Изв. вузов. Физика, 8, 115 (1997)
- Q.X. Zhao, B.O. Fimland, U. Sodervall, M. Willander, E. Selvig. Appl. Phys. Lett., 71 (15), 2139 (1997)
- J. Weber, S.J. Pearton, W.C. Dautremont-Smith. Appl. Phys. Lett., 49 (18), 1181 (1986).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
