Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs на стадии охлаждения

Кагадей В.А.¹, Нефёдцев Е.В.²

¹Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

²Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия Institute of High Current Electronics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Institute of High Current Electronics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 5 февраля 2009 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

PDF версия

Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда, активной легирующей примеси и распределения электрического поля в приповерхностном слое гидрогенизированного p-GaAs в процессе охлаждения образца после окончания этапа введения водорода. Показано, что вид конечных концентрационных профилей водородсодержащих частиц и распределение внутреннего электрического поля в гидрогенизированном слое p-GaAs зависят от температурно-временного режима охлаждения образца. Степень влияния скорости охлаждения на конечное состояние гидрогенизированного слоя увеличивается по мере уменьшения уровня легирования полупроводника. Приводятся и обсуждаются закономерности формирования конечного состояния системы водород-кристалл в зависимости от скорости охлаждения образца.

S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Springer-Verlag, 1991) p. 374
Ф.П. Коршунов, Н.Ф. Курилович, Т.А. Прохоренко, В.К. Шешолко, Ю.А. Бумай. Вопросы атомной науки и техники, 2, 38 (2001)
И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов. ФТП, 32, 1089 (1998)
Ю.А. Бумай, Г. Гобш, Р. Гольдхан, Н. Штайн, А. Голомбек, В. Наков, Т.С. Ченг. ФТП, 36, 211 (2002)
M. Geddo, R. Pezzuto, M. Capizzi, A. Polimeni, D. Gollub, M. Fischer, A. Forchel. Eur. Phys. J. B, 30, 39 (2002)
G. Pettinari, F. Masia, A. Polimeni, M. Felici, A. Frova, M. Capizzi, A. Lindsay, E.P. O'Reilly, P.J. Klar, W. Stolz. Phys. Rev. B, 74, 245 202 (2006)
Yao Yan-Ping, Liu Chun-Ling, Qiao Zhong-Liang, Li Mei, Gao Xin, Bo Bao-Xue. Chinese Phys. Lett., 25, 1071 (2008)
B. Herzog, B. Raabe, G. Hahn. Proc. 22nd Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Milan, 2007) p. 1722
H.G. Svavarsson1, D.M. Danielsson, J.T. Gudmundsson. Proc. 23rd Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Valencia, 2008) p. 2221
В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 32, 1343 (1998)
U.P. Singh. Bull. Mater. Sci., 21, 155 (1998)
В.А. Кагадей, Е.В. Нефёдцев, Д.И. Проскуровский, С.В. Романенко, Л.С. Широкова. Письма ЖТФ, 29, 27 (2003)
R. Farshchi, E.V. Chopdekar, Y. Suzuki, P.D. Ashby, I.D. Sharp, J.W. Beeman, E.E. Haller, O.D. Dubon. Phys. Status Solidi, C 4, 1755 (2007)
M. Capizzi, A. Mittaga. Appl. Phys. Lett., 50 (14), 918 (1987)
V.A. Kagadei, E.V. Nefyodtsev, D.I. Proskurovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 19, 1871 (2001)
В.А. Кагадей, Е.В. Нефёдцев. ФТП, 43, 128 (2009)
S.J. Pearton, W.C. Dautremont-Smith, J. Chevallier, C.W. Tu, K.D. Cummings. J. Appl. Phys., 58, 2821 (1986)
J.C. Mikkelsen, jr. Appl. Phys. Lett., 46, 882 (1985)
J.I. Pankove, P.J. Zanzucchi, C.W. Magee. Appl. Phys. Lett., 46, 421 (1985)
J.I. Pankove, C.W. Magee, R.O. Wance. Appl. Phys. Lett., 47 (7), 748 (1985)
Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, А.В. Говорков, О.М. Бородина, А.С. Брук. ФТП, 22, 1203 (1988)
Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков. Высокочистые вещества, 5, 5 (1988)
J. Chevallier, M. Aucouturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Изв. вузов. Физика, 8, 115 (1997)
Q.X. Zhao, B.O. Fimland, U. Sodervall, M. Willander, E. Selvig. Appl. Phys. Lett., 71 (15), 2139 (1997)
J. Weber, S.J. Pearton, W.C. Dautremont-Smith. Appl. Phys. Lett., 49 (18), 1181 (1986).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель