Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние дефектности структуры кристаллов gamma-La2(1-x)Nd2xS3 на их спектроскопические свойства
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 13 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.
Приводятся результаты исследования фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света нелегированных монокристаллов gamma-Ln2S3 (Ln - редкоземельный ион), а также кинетики распада уровня 4F3/2 ионов неодима в этих кристаллах. Дается объяснение искажения кривой распада уровня 4F3/2 ионов неодима при возбуждении светом с длиной волны lambda=0.53 мкм.
- А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов (Л., Наука, 1973) с. 180
- K. Meisel. Ztschr. Anorg. Allgemeine Chem., 240, 300 (1939)
- W.H. Zachariasen. Acta Crystallogr., 1, 265 (1948)
- W.H. Zachariasen. Acta Crystallogr., 20, 57 (1949)
- А.Н. Георгобиани, М.В. Глушков, А.А. Камарзин. Квант. электрон., 7, 1515 (1982)
- Е.И. Ярембаш, А.А. Елисеев. Халькогениды редкоземельных элементов (М., Наука, 1975) с. 73
- А.А. Каминский. ЖЭТФ, 2, 407 (1970)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
