Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO
Мездрогина М.М.1, Даниловский Э.Ю.1, Кузьмин Р.В.1, Полетаев Н.К.1, Трапезникова И.Н.1, Чукичев М.В.2, Бордовский Г.А.3, Марченко А.В.3, Еременко М.В.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.
На основании результатов комплексных исследований (спектров фотолюминесценции, рентгеновской флуоресценции и инфракрасной спектроскопии) показаны особенности формирования спектров излучения при изменении типа и концентрации фоновых примесей (Fe, Cu, Si), появляющихся как при выращивании, так и при обработке объемных кристаллов шлифованием и полировкой. Особое внимание уделено концентрации и типам связей водорода - основной примеси, препятствующей формированию кристаллов с p-типом проводимости.
- Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures Processing, Properties and Applications, ed. by C. Jagadish, S. Pearton (Els. Bier, 2006) p. 589
- D.S. Look. J. Electron. Mater., 35, 1299 (2006)
- Z.L. Wang. Appl. Phys. A. Materials Science and Processing. 2007. DOI: 10.1007/s00339-007-3942-8
- P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology, 17, 3786 (2006)
- Y.J. Li, Y.W. Kwon, M. Jones et al. Semicond. Sci. Technol., 20, 720 (2006)
- D.S. Look, B. Claflin. Phys. Status Solidi B, 241, 624 (2005)
- U. Ozgur, Ya.I. Aliviv, C. Liu. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
- S.E. Derenzo, M.J. Weber, M.K. Klintenberg. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 486, 214 (2002)
- P.J. Simpson, R. Tojssem, A.W. Hunt et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 505, 82 (2003)
- X. Gu, M.A. Reshchikov, A.I. Teke. Appl. Phys. Lett., 84, 2268 (2004)
- M. Zamfirescu, A. Kavokin, B. Gil et al. Phys. Rev. B, 65, 161 205 (2002)
- И.Н. Завестовская. Тез. докл. симп. "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (СПб., 5--7 ноября, 2008) р. 37
- Г.П. Яблонский, Е.В. Луценко, H. Kalisch, R.H. Janson, M. Houken. Тез. докл., симп. "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (СПб., 5--7 ноября, 2008) р. 27
- L.N. Dem'yanets, V.I. Lyutin. J. Cryst. Growth, 310, 993 (2006)
- G. Brauer, W. Anwand et al. Phys. Rev. B, 79, 115 212 (2009)
- Рост кристаллов, под ред. К. Гудмана (М., Мир, 1977)
- М.М. Мездрогина, О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 22 (4), 262 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
