Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние низкотемпературных отжигов на фотолюминесценцию кремниевых нанокластерных структур
Романюк Б.Н.1, Мельник В.П.1, Попов В.Г.1, Хацевич И.М.1, Оберемок А.С.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 6 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.
Приведены результаты экспериментальных исследований спектров фотолюминесценции кремниевых нанокластерных структур, полученных после высокотемпературного отжига (1150oC) осажденных на Si пленок SiOx и последующих низкотемпературных отжигов при температуре 450oC в разных средах. Показано, что интенсивность фотолюминесценции существенно возрастает после низкотемпературного отжига, причем максимальный эффект наблюдается после отжига в смеси кислорода и азота. При этом спектр фотолюминесценции сдвигается в длинноволновую область и имеет форму широкой полосы с максимумом в области 880 нм. Механизмы, ответственные за увеличение интенсивности фотолюминесценции при низкотемпературном отжиге в смеси кислорода и азота, связаны с реконструкцией границ раздела Si/SiO2 и формированием на этих границах энергетических уровней, которые участвуют в рекомбинации неравновесных носителей заряда. В квазихимических реакциях создания таких уровней принимают участие атомы кислорода и азота, а начальными центрами реакций являются ненасыщенные валентные связи на границах раздела нанокластеров Si и матрицы SiO2.
- L. Dal Negro, J.H. Yi, M. Hiltumen, J. Michel, L.C. Kimerling, S. Hamel, A.J. Williamson, G. Galli, T.-W.F. Chang, V. Sukhovatkin, E.H. Sargent. J. Experimental Nanoscience, 1 (1), 29 (2006)
- Б.Н. Романюк, В.Г. Попов, В.П. Мельник, Д.В. Гамов, В.А. Юхимчук, А.С. Оберемок, А.А. Григорьев, И.М. Хацевич, Г.В. Калистый. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, под ред. С.В. Свечникова (Киев, Наук. думка, 2007) вып. 42, с. 96
- Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, А.Н. Михайлов. ФТП, 39 (5), 582 (2005)
- N. Daldosso, G. Das, G. Larcheri, G. Mariotto, G. Dalba, L. Pavesi, A. Irrera, F. Priolo, F. Iacona, F. Rocca. J. Appl. Phys., 101, 113 510 (2007)
- Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, В.А. Бурдов, С.А. Трушин, А.Н. Михайлов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов, А.И. Ковалев. ФТТ, 46 (1), 21 (2004)
- D. Pacifici, A. Irrera, G. Franzo, M. Miritello, F. Iacona, F. Priolo. Physica E, 16, 33 (2003)
- Xiaochum Wu, A.M. Bittner, K. Kern, Ch. Eggs, S. Veprek. Appl. Phys. Lett., 77 (5), 645 (2000)
- M. Lopez, B. Garrido, C. Garcia, P. Pellegrino, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80 (9), 1637 (2002)
- A.R. Wilkinson, R.G. Elliman. J. Appl. Phys., 96 (7), 4018 (2004)
- S.B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91 (2), 798 (2002)
- И.М. Купчак, Ю.В. Крюченко, Д.В. Корбутяк, А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Е.В. Бегун. ФТП, 42 (10), 1213 (2008)
- Б.Н. Романюк, В.Г. Попов, Р.И. Марченко, Н.И. Клюй, В.П. Мельник, А.Ю. Прокофьев, А.А. Евтух, Ю.В. Голтвянский, В.В. Андриевский, Д.Н. Москаль, С.И. Фролов. Укр. физ. журн., 38 (4), 589 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
