Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO2 и Si
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия 
2Уральская государственная юридическая академия, Екатеринбург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Racah Institute of Physics, Hebrew University, Jerusalem, Israel
2Уральская государственная юридическая академия, Екатеринбург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Racah Institute of Physics, Hebrew University, Jerusalem, Israel
Поступила в редакцию: 30 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.
Методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной и инфракрасной спектроскопии исследована композитная структура Si/SiO2, полученная напылением из источников Si и SiO2 на кремниевую подложку. Разнесение источников на значительное расстояние (96 мм) позволило варьировать состав слоя вдоль образца в широких пределах, от почти чистого SiO2 до Si. Рентгеновские эмиссионные L2,3-спектры диагностировали в полученных слоях аморфный кремний a-Si и оксид кремния SiO2. Инфракрасные спектры показали в полученных слоях наличие нанокристаллов кремния. Определено изменение содержания Si/SiO2 вдоль пластины и проведено сравнение данных, полученных упомянутыми выше методами, с результатами расчета состава слоя и измерения толщин слоев профилометром.
- A. Dutta, S. Oda, Y. Fu, M. Willander. Jpn. J. Appl. Phys., 39, 4647 (2000)
- M. Dovrat, Y. Goshen, J. Jedrzejewski, I. Balberg, A. Sa'ar. Phys. Rev. B, 69, 155 311 (2004)
- G. Conibeer, M. Green, R. Corkish, Y. Cho, E.-C. Cho, C.-W. Jiang, T. Fangsuwannarak, E. Pink, Y. Huang, T. Puzzer, T. Trupke, B. Richards, A. Shalav, Kuo-lung Lin. Thin Sol. Films, 511, 654 (2006)
- L. Dal Negro, M. Cazzanelli, L. Pavesi, S. Ossicini, D. Passifici, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona. Appl. Phys. Lett., 82, 4636 (2003)
- S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, H. Hanafi, C. Wei, D. Buchanan. IEEE Int. Electron. Dev. Meeting Tech. Dig., 5, 521 (1995)
- I. Balberg, E. Savir, J. Jedrzejewski, A.G. Nassiopoulou, S. Gardelis. Phys. Rev. B, 75, 235 329 (2007)
- E.Z. Kurmaev, V.V. Fedorenko, S.N. Shamin, A.V. Postnikov, G. Wiech, Younsoo Kim. Physica Srcipta, T41, 288 (1992)
- A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4169 (1995)
- M. Nakamura, Y. Mochizuki, K. Usami, Y. Itoh, T. Nozaki. Sol. St. Commun., 50, 1079 (1984)
- P.G. Pai, S.S. Chao, Y. Takagi, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 689 (1986)
- А.Л. Шабалов, М.С. Фельдман. Неорг. матер., 25, 1491 (1989)
- L. Nasdala, B. Wopenka, C.L. Lengauer. American Mineralogist, 89, 912 (2004)
- А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, I. Balberg, Y. Goldstein. ФТП, 42, 753 (2008)
- В.А. Данько, И.З. Индутный, В.С. Лысенко, И.Ю. Майданчук, В.И. Минько, А.Н. Назаров, А.С. Ткаченко, П.Е. Шепелявый. ФТП, 39, 1139 (2005)
- L. Khomenkova, N. Korsunska, T. Stara, Ye. Venger, C. Sada, E. Trave, Y. Goldstein, J. Jedrzejewski, E. Savir. Thin Sol. Films, 515, 6749 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
