Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние энергетических параметров осаждаемого лазерно-инициированного потока атомов платины на характеристики тонкопленочной структуры Pt/n-6H-SiC
Фоминский В.Ю.1, Романов Р.И.1, Гнедовец А.Г.1, Зуев В.В.1, Демин М.В.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 2 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.
Проведены экспериментальные исследования особенностей формирования пленок платины на подложках n-6H-SiC при реализации различных способов импульсного лазерного осаждения. Осаждение проводилось как в вакууме традиционным способом, так и в инертной газовой среде с применением дискового экрана, устанавливаемого на оси разлета факела между лазерной мишенью и подложкой для защиты подложки от частиц микронных и субмикронных размеров. Разработана компьютерная модель такого процесса, которая позволяет прогнозировать распределение осаждаемой пленки по поверхности подложки, энергетические и угловые параметры атомарного потока при варьировании свойств лазерного факела, давления инертного газа и расположения экрана. Результаты моделирования использовались для объяснения электрических свойств тонкопленочных структур Pt/n-6H-SiC, полученных различными способами.
- Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, Ю.Н. Дроздов, В.П. Лесников, В.В. Подольский. ФТП, 39 (1), 8 (2005)
- Э.Б. Каганович, И.П. Лисовский, Э.Г. Манойлов, С.А. Злобин. ФТП, 40 (4), 449 (2006)
- В.Ф. Гременок, И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, H.-W. Schock. ФТП, 36 (3), 360 (2002)
- А.В. Варлашкин, С.И. Красносвободцев, М.Л. Чухаркин, О.В. Снигирев, А.В. Цикунов, Н.П. Шабанова. ЖТФ, 77 (5), 127 (2007)
- B. Hopp, N. Krezs, Cs. Vass, Z. Toth, T. Smausz, F. Ignacs. Appl. Surf. Sci., 186, 298 (2002)
- Z. Trajanovic, S. Choopun, R.P. Sharma, T. Venkatesan. Appl. Phys. Lett., 70, 3461 (1997)
- T. Kobayashi, H. Akiyoshi, M. Tachiki. Appl. Surf. Sci., 197- 198, 294 (2002)
- Chu Chen, P.P. Ong, H. Wang. Thin Sol. Films, 382, 275 (2001)
- В.Н. Неволин, В.Ю. Фоминский, А.Г. Гнедовец, Р.И. Романов. ЖТФ, 79 (1), 118 (2009)
- M. Soshacki, A. Kolendo, J. Szmidt, A. Werlowy, Solid-State. Electron., 49, 585 (2005)
- C.I. Muntele, D. Lla, E.K. Williams, D.B. Poker, D.K. Hensley, D.J. Larkin, L. Muntele. Mater. Sci. Forum, 338- 342, 1443 (2000)
- Ю.А. Быковский, С.М. Сильнов, Е.А. Сотниченко, Б.А. Шестаков. ЖЭТФ, 93, 500 (1987)
- J. Krasa, A. Lorusso, D. Doria, F. Belloni, V. Nassisi, K. Rohlena. Plasma Phys. Control. Fusion, 47, 1339 (2005)
- G.A. Bird. Molecular Gas Dynamics and the Direct Simulation of Gas Flows (Clarendon Press, Oxford, 1994)
- S. Mahieu, K. Van Aeken, D. Depla. In: Reactive Sputter Deposition, ed. by D. Depla, S. Mahieu (Berlin, Springer, 2008) p. 198
- К. Дей, Д. Селбин. Неорганическая химия (М., Химия, 1969) с. 108
- Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) с. 104
- И.В. Грехов, П.А. Иванов, И.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонов. ФТП, 42 (2), 211 (2008)
- Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 35 (4), 406 (2001)
- В.П. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
