Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 5 » Статья стр. 584
<<<>>>
Оптические и диэлектрические характеристики окисла редкоземельного металла Lu2O3
Ордин С.В.1, Шелых А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.
PDF версия
Исследованы характеристики окисла Lu2O3 и их изменения, вызванные дефектностью состава. Дефектами являются анионные вакансии, которые возникают при частичном восстановлении окисла. Они проявляют особенности, характерные для квантовых объектов, и существенно влияют на спектр оптического пропускания, характер электропроводности (изолятор-полупроводник) и на порядок величины диэлектрической проницаемости varepsilon (11.2->125). Рассмотрены особенности структуры вакансий в окислах и исследовано их влияние на поляризацию, электропроводность и решеточные колебания. Исследования проводились в диапазонах температур 200-900 K, длин волн 0.03-50 мкм, частот тока 102-105 Гц. Интерес в микроэлектронике к окислам редкоземельных металлов вызван их большей в несколько раз по сравнению с SiO2 диэлектрической проницаемостью и тем самым перспективностью замены этими окислами SiO2.
  1. Д.И. Чернобровкин, Ю.Г. Сахаров. Электроника, 2 (1), 82 (1973)
  2. G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Antony. J. Appl. Phys., 89 (10), 5243 (2001)
  3. H.J. Osten, A. Laha, M. Czernohorsky, E. Bugiel, R. Dargis, A. Fisse. Phys. Status Solidi A, 295 (4), 695 (2008)
  4. C.H. Liu, T.M. Pan, W.H. Shu, K.C. Huang. Electrochem. Solid-State Lett., 10 (8), G54 (2007)
  5. Chia-Wen Chang, Chia-Kang Dang, J.S. Huang, H.R. Chang, T.F. Lei. Electrochem. Solid-State Lett., 10 (8), J143 (2007)
  6. S. Duenas, H. Caston, H. Carcia, A. Gamez, L. Bailon, K. Kukli, T. Hatanpaa, J. Lu, M. Ritalola, M. Leskola. J. Electrochem. Soc., 154 (10), G207 (2007)
  7. G. Scarel, E. Bonera, C. Wiemer, G. Tallarida, S. Spiga, M. Fanciulli, I.L. Fedushkin, H. Schumann, Yu. Lebedinskii, F. Zenkevich. Appl. Phys. Lett., 85 (4), 630 (2004)
  8. E. Bonera, G. Scarel, M. Fanciulli, P. Delugas, V. Fiorentini. Phys. Rev. Lett., 94 (4), 027 602 (2005)
  9. P. Darmawan, P.S. Lee, Y. Setiawan, J.C. Lai, P. Yang. J. Vac. Sci. Technol. B, 25 (4), 1203 (2007)
  10. C.L. Yuan, P. Darmawan, Y. Setiawan, P.S. Lee. Electrochem. Solid-State Lett., 99 (6), F53 (2006)
  11. А.И. Шелых, А.В. Прокофьев, Б.Т. Мелех. ФТТ, 38 (2), 427 (1966)
  12. A.V. Prokofiev, A.I. Shelykh, B.T. Melekh. J. Alloys Comp., 242, 41 (1966)
  13. Х.С. Багдасаров, В.П. Жузе, М.Г. Карин, К.К. Сидорин. А.И. Шелых. ФТТ, 26 (4), 1134 (1984)
  14. D. Bloor, J.R. Dean. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 5 (11), 1237 (1972)
  15. В.П. Жузе, А.И. Шелых. ФТП, 23 (3), 393 (1989)
  16. Г.П. Скорняков, В.Л. Константинов. В сб.: Физика и химия РЗ-полупроводников, под ред. Г.П. Скорнякова, А.А. Самохвалова (Свердловск, УНЦ АН СССР, 1977)
  17. G. Schaak, J.A. Koningstein. J. Opt. Soc. Amer., 60 (8), 1110 (1970)
  18. R.F. Gamarra, M. Josebachuilli, P. Zurita, S. Gie. Amer. J. Phys., 75 (12), 1073 (2007)
  19. J.D. Axe. J. Phys. Chem. Sol., 30 (6), 1403 (1969)
  20. A.E. Miller, A.H. Daane. J. Jnorg. Nucl. Chem., 27 (9), 1955 (1965)
  21. А. Лидьярд. Ионная проводимость кристаллов, под ред. В.А. Чуенкова (М., ИЛ, 1962). [A. Lidiard. Handbuch der Physik, ed. by S. Flugge (Springer-Verlag, Berlin, 1957) Bd XX, Tl 11]
  22. H.J. van Daal, A.J. Bosman. Phys. Rev., 158 (3), 736 (1967)
  23. A.J. Bosman, H.J. van Daal. Adv. Phys., 19 (77), 1 (1970)
  24. T. Bak, M.K. Novotny, L.R. Sheppard, J. Navotny. J. Phys. Chem. C, 112 (33), 12 981 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme