Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 5 » Статья стр. 642
<<<>>>
Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами
Гавриленко В.И.1, Иконников А.В.1, Криштопенко С.С.1, Ластовкин А.А.1, Маремьянин К.В.1, Садофьев Ю.Г.1, Спирин К.Е.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 20 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.
PDF версия
Исследованы эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с покрывающим слоем GaSb с двумерным электронным газом в двойных квантовых ямах InAs при T=4.2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова-де-Гааза определены концентрации электронов в каждой из квантовых ям при различных длинах волн подсветки и прямым образом продемонстрирована сильная несимметричность структуры, вызванная встроенным электрическим полем. Выполнены самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы и определены значения концентраций ионизованных доноров с обеих сторон от ям, что позволило конкретизировать предложенный ранее механизм биполярной остаточной фотопроводимости в таких структурах.
  1. S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, L.E. Golub, E.L. Ivchenko, Petra Schneider, S. Giglberger, J. Eroms, J. De Boeck, G. Borghs, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl. Phys. Rev. Lett., 92, P. 256 601 (2004)
  2. Ю.А. Бычков, Э.И. Рашба. Письма ЖЭТФ, 39, 66 (1984)
  3. G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100, 580 (1955)
  4. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, 3032 (1990)
  5. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 65, 5239 (1989)
  6. Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Jonson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
  7. Ch. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S137 (1993)
  8. F.C. Wang, W.E. Zhang, C.H. Yang, M.J. Yang, B.R. Bennett. Appl. Phys. Lett., 69, 1417 (1996)
  9. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 42, 846 (2008)
  10. E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  11. G.L. Bir, G.E. Pikus. Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, N.Y., 1974)
  12. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, Д.М. Гапонова, А.В. Иконников, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, Ю.Г. Садофьев, S.R. Johnson, Y.-H. Yang. ФТТ, 39, 30 (2005)
  13. E.O. Kane. Proc. Conf. Narrow Gap Semiconductors. Physics and Applications, Nimes, 1979", ed. by W. Zawadzki (Springer-Verlag, N.Y., 1980)
  14. B.A. Foreman. Phys. Rev. B, 56, R12 748 (1997)
  15. A. Zakharova, S.T. Yen, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 66, 085 312 (2002)
  16. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Теория упругости (М., Наука, 1987) т. 7
  17. D.Y.K. Ko, J.C. Inkson. Phys. Rev. B, 38, 9945 (1988)
  18. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme