Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 5 » Статья стр. 636
<<<>>>
Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращённых нелегированным слоем GaAs
Дементьев П.А.1, Дунаевский М.С.1, Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Цырлин Г.Э.1,2,3, Титков А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.
PDF версия
Предлагается метод измерения продольных вольт-амперных характеристик полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, сохраняющих контакт с поверхностью роста. Метод основан на создании устойчивого проводящего контакта вершины индивидуального нитевидного нанокристалла с зондом атомно-силового микроскопа. Показано, что по мере увеличения силы прижима зонда к вершине нитевидного нанокристалла происходит прокалывание покрывающего ее естественного окисла и достигается прямой контакт зонда с материалом нанокристалла. Для избежания изгиба с последующим обламыванием нитевидных нанокристаллов необходимо их фиксировать в пространстве. В настоящей работе фиксация нитевидных нанокристаллов GaAs осуществлялась за счет их частичного заращивания слоем GaAs. Для обособления нанокристаллов в заращивающей матрице они покрывались нанометровым слоем AlGaAs. В работе изучалось легирование кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs. Вид полученных вольт-амперных характеристик показывает, что введение кремния приводит к p-типу проводимости нанокристаллов, в отличие от n-типа объемных кристаллов GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемое отличие объясняется присутствием в процессе пар-жидкость-кристалл при получении нитевидных нанокристаллов конечной фазы жидкофазной эпитаксии, для которой характерно формирование p-типа проводимости при выращивании объемных кристаллов GaAs(Si).
  1. Y. Li, J. Xiang, F. Quang, S. Gradecak, Y. Wu, H. Yan, D.A. Blom, C.M. Lieber. NanoLett., 6, 1468 (2006)
  2. B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Appl. Phys. Lett., 79, 3335 (2001)
  3. M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass, A.I. Persson, C. Thelander, M.H. Magnusson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 80, 1058 (2002)
  4. H. Sakaki. Jpn. J Appl. Phys., 19, 1735 (1980)
  5. R.B. Markus, T.S. Ravi, T. Gimmer, K. Chin, D. Liu, W.J. Orvis, D.R. Ciarlo, C.E. Hunt, J. Trujilo. Appl. Phys. Lett., 56, 236 (1990)
  6. E.I. Givargizov, A.N. Stepanova, L.N. Obolenskaya, E.S. Mashkova, V.A. Molchanov, M.E. Givargizov, I.W. Rangelov. Ultramicroscopy, 82, 57 (2000)
  7. C.M. Lieber. Nature Biotechnology, 23, 1294 (2005)
  8. Q. Wang, Q.H. Li, Y.J. Chen, T.H. Wang, C.L. He, J.P. Li, C.L. Lin. Appl. Phys. Lett., 84, 3654 (2008)
  9. Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография, 18, 147 (1973)
  10. L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Goesele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
  11. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
  12. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth, 289, 31 (2006)
  13. M. Tchernycheva, J.C. Harmand, G. Patriarche, L. Travers, G.E. Cirlin. Nanotechnology, 17, 4025 (2006)
  14. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 105 325 (2005)
  15. G. Patriarch, F. Glas, M. Tchernycheva, C. Sartel, L. Largeau, J.C. Harmand, G.E. Cirlin. NanoLett., 8, 1638 (2008)
  16. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43, 1585 (2009)
  17. X. Duan, Yu Huang, Yi Cui, J. Wang, Ch.M. Lieber. Nature, 409, 66 (2001)
  18. K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma, K. Ogawa. Appl. Phys. Lett., 60, 745 (1991)
  19. R.P. Lu, K.L. Kavanagh, St.J. Dixon-Warren, A.J. Spring Thorpe, R. Streater, I. Calder, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1682 (2002)
  20. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  21. А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, В.П. Улин, А.Н. Титков. ФТП, 33, 594 (1999)
  22. J.E. Northrup, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 47, 6791 (1993)
  23. R. Murray, R.C. Newman, M.J.L. Sangster, R.B. Beali, J.J. Harris, P.J. Wright, J. Wagner, M. Ramsteiner. J. Appl. Phys., 66, 2589 (1989)
  24. B.H. Ahn, R.R. Shurtz, C.W. Trussel. J. Appl. Phys., 42, 4512 (1971)
  25. L. Ouattara, A. Mikkelsen, N. Skold, J. Eriksson, T.H. Knaapen, E. Cavar, W. Seifert, L. Samuelson, E. Lundren. NanoLett., 7, 2861 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme