Вышедшие номера
Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей
Копач В.Р.1, Кириченко М.В.1, Хрипунов Г.С.1, Зайцев Р.В.1
1Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 12 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия-олова (ITO) толщиной 0.25-2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.