Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия слоистых кристаллов высокоомного GaSe

Одринский А.П.¹

¹Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь Institute of Technical Acoustics, National Academy of Sciences of Belarus, Vitebsk, Belarus

Institute of Technical Acoustics, National Academy of Sciences of Belarus, Vitebsk, Belarus

Поступила в редакцию: 7 декабря 2009 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

PDF версия

Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы дефекты в высокоомном монокристалле p-GaSe. Результаты показали присутствие ловушек, соответствующих вакансии галлия и протяженным дефектам. Обнаружены также ловушки с энергией термоактивации 0.13, 0.39 и 0.53 эВ. Проводится обсуждение их природы.

Y.K. Hsu, C.W. Chen, J.Y. Huang, C.L. Pan, J.Y. Zhang, C.S. Chang. Opt. Express, 14, 5484 (2006)
Y. Cui, R. Dupere, A. Burger, D. Johnstone, C. Mandal, S.A. Payne. J. Appl. Phys., 103, 013 710 (2008)
S. Shigetomi, T. Ikari, H. Nakashima. J. Appl. Phys., 73, 4686 (1993)
S. Shigetomi, T. Ikari, H. Nakashima. J. Appl. Phys., 76, 310 (1994)
S. Shigetomi, T. Ikari, H. Nakashima. J. Appl. Phys., 80, 4779 (1999)
Y.K. Hsu, C.S. Chang, W.C. Huang. J. Appl. Phys., 96, 4125 (2004)
D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
Ch. Herter, M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett., 32, 821 (1978)
И.А. Давыдов, А.П. Одринский. Деп. ВИНИТИ N 6285-B90 (1990)
А.П. Одринский. В сб.: Матер. V Междунар. конф. "Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств" (Полоцк, Белоруссия, 2008) т. 3, с. 80
J.C. Balland, J.P. Zielinger, C. Noguet, M. Tapiero. J. Phys. D.: Appl. Phys., 19, 57 (1986)
В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981) с. 30
G. Micocci, P. Siciliano, A. Tepore. J. Appl. Phys., 67, 6581 (1990)
S. Shigetomi, T. Ikari, H. Nakamura. J. Appl. Phys., 69, 7936 (1991)
V. Capozzi, A. Minafra. J. Phys. C, 14, 4335 (1981)
V. Capozzi. Phys. Rev. B, 28, 4620 (1983)
А.П. Одринский. ФТП, 39, 660 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель