Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Выращивание пленок (InSb)_1-x(Sn₂)_x на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии

Саидов А.С.¹, Саидов М.С.¹, Усмонов Ш.Н.¹, Асатова У.П.²

¹Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

²Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан Urganch State University, Urganch, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 28 июля 2009 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показана возможность выращивания монокристаллического твердого раствора замещения (InSb)_1-x(Sn₂)_x (0=<q x=<q 0.05) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из индиевого раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-GaAs-p-(InSb)_1-x(Sn₂)_x при различных температурах. Определены параметры решетки твердого раствора (InSb)_1-x(Sn₂)_x. Обнаружено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0.7 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I₀exp(qV/ckT), а при больших (V>0.9 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V₀exp(Jad). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких примесей уменьшается с ростом температуры.

А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20 (12), 2217 (1986)
G. Bougnot, mF. De Lannoy. J. Electrochem. Soc., 135, 783 (1988)
A. Mabbit, A. Parker. Sens. Rev., 16 (3), 38 (1996)
A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 3117 (1999)
Р.Х. Акчурин, Т.В. Сахарова. Письма ЖТФ, 18 (10), 16 (1992)
Р.Х. Акчурин, О.В. Акимов. ФТП, 29 (2), 362 (1995)
Н.Н. Сирота. Физико-химическая природа фаз переменного состава (Минск, Наука и техника, 1970)
M.S. Saidov. Appl. Solar Energy, 33 (5), 48 (1997)
M.S. Saidov. Appl. Solar Energy, 35 (3), 48 (1999)
А.С. Саидов, А.Ш. Раззаков, Д.В. Сапаров. Письма ЖТФ, 28 (22), 7 (2002)
А.С. Саидов. Узб. физ. журн., 4, 48 (1993)
М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. II. [Пер. с англ.: M. Hansen, K. Anderko. Constitution of binary alloys (Toronto--London--N.Y., 1958) v. II]
Ж.И. Алфёров. Наука и общество (СПб., Наука, 2005)
А.С. Саидов. Матер. 3-й Межд. конф., посвященной 15-летию независимости Узбекистана, "Фундаментальные и прикладные вопросы физики" (Ташкент, 2006) с. 279
Ш.Н. Усмонов, А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Д. Сапаров, К.Т. Холиков. ФТП, 43 (8), 1131 (2009)
В.И. Иверонова, Г.П. Ревкевич. Теория рассеяния рентгеновских лучей (М., Изд-во МГУ, 1972)
Е.Ф. Вегман, Ю.Г. Руфанов, И.Н. Федорченко. Кристаллография, минералогия, петрография и рентгенография (М., Металлургия, 1990)
В.И. Стафеев. ЖТФ, 28 (8), 1631 (1958)
Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий--Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978)
A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy--Alkalaev. Sol. St. Commun., 27, 339 (1978)
П.М. Карагеоргий--Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями (Ташкент, Фан, 1981)
О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967) [Пер. с англ.: O. Madelung. Physics of III--V Compounds (N.Y.--London--Sydney, 1964)]
A.S. Saidov, M.S. Saidov, Sh.N. Usmonov, D. Saparov. Appl. Solar Energy, 41 (2), 80 (2005)
А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков, Д. Сапаров. Письма ЖТФ, 33 (20), 5 (2007)
Ш.Н. Усмонов, А.С. Саидов, М.С. Саидов, К.А. Амонов. Гелиотехника, 1, 13 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель