Вышедшие номера
Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей
Усов С.О.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Сахаров А.В.1,2, Николаев А.Е.1,2, Синицын М.А.1,3, Крыжановская Н.В.1, Трошков С.И.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

Проведено исследование структурных и оптических свойств InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на сапфировых подложках. Исследовано влияние режимов роста и толщин слоев InAlN на структурные свойства распределенных брегговских отражателей. Показано, что оптимизация режимов эпитаксиального роста позволяет создавать InAlN/GaN распределенные брегговские отражатели с коэффициентом отражения более 99% и максимумом отражения в диапазоне длин волн 460-610 нм.