Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/p-Ag3AsS3
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
Однородные объемные монокристаллы p-Ag3AsS3 с ромбической структурой выращены направленной кристаллизацией из расплава, состав которого соответствует атомному составу данного тройного соединения. Впервые созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры, основанные на получении контакта между поверхностью этих кристаллов и тонкими пленками чистого индия. Фоточувствительность полученных структур изучена в естественном и линейно поляризованном излучении. Спектры фоточувствительности структур In/p-Ag3AsS3 впервые получены и использованы для определения природы и энергии межзонных переходов в кристаллах p-Ag3AsS3. На поверхностно-барьерных структурах, полученных на ориентированных монокристаллах p-Ag3AsS3, исследовано явление естественного фотоплеохроизма. Сделан вывод о том, что монокристаллы Ag3AsS3 могут использоваться в фотопреобразователях естественного и линейно поляризованного излучения.
- J.D. Feichtner, R. Johannes, Z.W. Roland. Appl. Opt., 9, 1716 (1970)
- D.V. Tseng. Appl. Phys. Lett., 21, 382 (1972)
- M.C. Ohmer, R. Pandey. MRS Bulletin, 23, 16 (1998)
- B.H. Bairamov, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. MRS Bulletin, 23, 41 (1998)
- J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semicondators: Grwth, Electronic Properties and Application (Oxford, Pergamon Press, 1975)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. акад. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
- Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
- E. Hernandes. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
- Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. акад. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
- И.И. Головач, В.Ю. Сливка, Н.И. Довгошей, Н.Н. Сырбу, М.И. Головей, М.И. Гурзан. ФТП, 8, 2316 (1974)
- Ю.В. Рудь. Изв. вузов СССР. Физика, 29, 68 (1986)
- Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996)
- В.Ю. Рудь. Автореф. канд. дис. (Ульяновск, УлГУ, 2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
