Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода

Ремнев М.А.¹, Катеев И.Ю.¹, Елесин В.Ф.¹

¹Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия

Поступила в редакцию: 23 июня 2009 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При помощи численного решения уравнения Шрёдингера получены вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями (спейсерами). Построены зависимости пикового тока резонансно-туннельного диода от ширины спейсера эмиттера. Показано, что пиковый ток зависит периодическим образом от ширины спейсера эмиттера. Построенные диаграммы плотности электронов показали, что увеличение пикового тока связано с резонансным уровнем в области спейсера эмиттера.

Ж.И. Алфёров, А.Л. Асеев, С.В. Гапонов и др. Нано- и микросистемная техника, (8), 3 (2003)
Ж.И. Алфёров. ФТП, 32 (1), 3 (1998)
J.P. Sun, G.I. Haddad, P. Mazumder, S. Member, J.N. Schulman. Proc. IEEE, 86 (4), 641 (1998)
M. Asada, S. Suzuki, N. Kishimoto. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 4375 (2008)
M. Tonouchi. Nature Photonics, 1, 97 (2007)
H. Kim and K. Seo. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (5), 3340 (2008)
J.P.A. Van Der Wagt. Proc. IEEE, 87 (4), 571 (1999)
E.R. Brown, T.C.L. Sollner, C.D. Parker, W.D. Goodhue, C.L. Chen. Appl. Phys. Lett., 55 (17), 1777 (1989)
S. Muto, T. Inata, H. Ohnishi, N. Yakoyama, S. Hiyamizu. Jpn. J. Appl. Phys., 25 (7), L577 (1986)
А.А. Белоушкин, Ю.А. Ефимов, А.С. Игнатьев, А.Л. Карузский, В.Н. Мурзин, А.В. Пересторонин, Г.К. Расулова, А.М. Цховребов, Е.Г. Чижевский. ФТП, 32 (1), 124 (1998)
N. Shimizu, T. Waho, T. Ishibashi. Jpn. J. Appl. Phys., 36 (3B), L330 (1997)
H. Ohnishi, T. Inata, S. Muto, N. Naoki, A. Shibatomi. Appl. Phys. Lett., 49 (19), 1248 (1986)
I. Mehdi, R. Mains, G. Haddad. Appl. Phys. Lett., 57 (9), 899 (1990)
T. Wei, S. Stapleton. J. Appl. Phys., 76 (2), 1287 (1994)
Zang Yang, Han Chun-Lin, Gao Jian-Feng, Zhu Zhan-Ping, Wang Bao-Qiang, Zeng Yi-Ping. Chinese Physics B, 17 (4), 1472 (2008)
T. Daniels-Race, S. Yu. Sol. St. Electron., 38 (7), 1347 (1995)
H.M. Yoo, S.M. Goodnick, J.R. Arthur. Appl. Phys. Lett., 56 (1), 84 (1990)
В.Ф. Елесин. ЖЭТФ, 119 (4), 816 (2001)
O. Pinaud. J. Appl. Phys., 92 (4), 1987 (2002)
Gyungok Kim, Kwang Man Koh, Chong Hoon Kim. J. Korean Phys. Soc., 39, S279 (2001)
Yashiyuki Suda, Hajime Koyama. Appl. Phys. Lett., 79 (14), 2273 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель