Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания
Грехов И.В.1, Костина Л.С.1, Аргунова Т.С.1,2, Белякова Е.И.1, Рожков А.В.1, Шмидт Н.М.1, Юсупова Ш.А.1, Je J.H.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Pohang University of Science and Technology, Pohang, 790-784, Republic of Korea
2Pohang University of Science and Technology, Pohang, 790-784, Republic of Korea
Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе - прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si1-xGex из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si1-xGex толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO2/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si1-xGex использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250oC не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si1-xGex.
- K. Rim, R. Anderson, D. Boyd, F. Cradone, K. Chan, H. Chen, S. Chiristansen, J. Chu, K. Jenkins, T. Kanarsky, S. Koester, B.H. Lee, K. Lee, V. Mazzeo, A. Mocuta, D. Mocuta, P.M. Mooney, P. Oldiges, J. Ott, P. Ronsheim, R. Roy, A. Steegen, M. Yang, H. Zhu, M. Ieong, H.-S.P. Wong. Sol. St. Electron., 47, 1133 (2003)
- D.L. Harame, S.J. Koester, G. Freeman, P. Cottrel, K. Rim, G. Dehlinger, D. Ahlgren, J.S. Dunn, D. Greenberg, A. Joseph, F. Anderson, J.-S. Rieh, S.A.S.T. Onge, D. Coolbaugh, V. Ramachandran, J.D. Cressler, S. Subbanna. Appl. Surf. Sci., 224, 9 (2004)
- S.F. Nelson, K. Ismail, J.O. Chu, B.S. Meyerson. Appl. Phys. Lett., 63 (3), 367 (1993)
- K. Ismail, J.O. Chu, B.S. Meyerson. Appl. Phys. Lett., 64 (23), 3124 (1994)
- T. Mizuno, S. Takagi, N. Sugiyama, H. Satake, A. Kurobe, A. Toriumi. IEEE Electron. Dev. Lett., 21, (5), 230 (2000)
- L.J. Huang, J.O. Chu, D.F. Canaperi, C.P.D.'Emic, R.M. Anderson, S.J. Koester, H.S. Philip Wong. Appl. Phys. Lett., 78 (9), 1267 (2001)
- A.N. Larsen. Mater. Sci. Semicond. Proc., 9, 454 (2006)
- Т.С. Аргунова, Е.И. Белякова, И.В. Грехов, А.Г. Забродский, Л.С. Костина, Л.М. Сорокин, Н.М. Шмидт, J.M. Yi, J.W. Jung, J.H. Je, Н.В. Абросимов. ФТП, 41 (6), 700 (2007)
- И.В. Грехов, Е.И. Белякова, Л.С. Костина, А.В. Рожков, Ш.А. Юсупова, Л.М. Сорокин, Т.С. Аргунова, Н.В. Абросимов, Н.А. Матчанов, J.H. Je. Письма ЖТФ, 34 (23), 66 (2008)
- I.V. Grekhov, T.S. Argunova, M.Yu. Gutkin, L.S. Kostina, T.V. Kudryavzeva, E.D. Kim, S.C. Kim. Electron. Lett., 31 (23), 2047 (1995)
- Т.С. Аргунова, И.В. Грехов, М.Ю. Гуткин, Л.С. Костина, Е.И. Белякова, Т.В. Кудрявцева. ФТТ, 38 (11), 3361 (1996)
- T. Tezuka, N. Sugiyama, S. Takagi. Appl. Phys. Lett., 79 (12), 1798 (2001)
- Tomohisa Mizuno, Naoharu Sugiyama, Tsutomu Tezuka, Shin-ichi Takagi. Appl. Phys. Lett., 80 (4), 601 (2002)
- N. Abrosimov, S. Rossolenki, W. Thieme, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth, 174, 182 (1997)
- O.V. Smirnova, V.V. Kalaev, Yu.N. Makarov, N.V. Abrosimov, H. Riemann. J. Cryst. Growth, 287, 281 (2006)
- T.S. Argunova, J.M. Yi, J.W. Jung, J.H. Je, L.M. Sorokin, M.Yu. Gutkin, E.I. Belyakova, L.S. Kostina, A.G. Zabrodskii, N.V. Abrosimov. Phys. Status Solidi A, 204 (8), 2669 (2007)
- T.S. Argunova, J.W. Jung, J.H. Je, N.V. Abrosimov, I.V. Grekhov, L.S. Kostina, A.V. Rozhkov, L.M. Sorokin, A.G. Zabrodskii. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 085 404 (2009)
- S. Baik, H.S. Kim, M.H. Jeong, C.S. Lee, J.H. Je, Y. Hwu, G. Margaritondo. Rev. Sci. Instrum. 75 (11), 4355 (2004)
- Т.С. Аргунова, Р.Ф. Витман, И.В. Грехов, М.Ю. Гуткин, Л.С. Костина, Т.В. Кудрявцева, А.В. Штрубин, J. Hartwig, M. Ohler, E.D. Kim, S.Ch. Kim. ФТТ, 41 (11), 1953 (1999)
- J.C. Tsang, P.M. Mooney, F. Dacol, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75 (12), 8098 (1994)
- P.W. Li, W.M. Liao, S.W. Lin, P.S. Chen, S.C. Lu, M.J. Tsai. Appl. Phys. Lett., 83 (22), 4628 (2003)
- M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
- И.В. Антонова, В.Ф. Стась, В.П. Попов, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский. ФТП, 34 (9), 1095 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
