Анализ фазовых диаграмм системы CdS-CdSe-CdTe
Кузнецов В.А.1
1Саратовский государственный аграрный университет им. Н.И. Вавилова, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.
На основе анализа энергетических диаграмм полупроводниковых соединений A IIBVI предложены методика определения глубины провисания запрещенной зоны и механизм этого эффекта, связанный с деформационным потенциалом, который может возникать в области существования смешанных сингоний твердых растворов. Подбирая состав двойной или тройной системы, за счет эффекта провисания зоны можно увеличить фоточувствительность в заданной области спектра
- А.Н. Георгобиани. УФН, 113 (1), 129 (1977)
- Н.И. Витряховский, И.Б. Мизецкая, Г.С. Олийнык. Неорг. матер., 8 (3), 757 (1971)
- Н.И. Витряховский, И.Б. Мизецкая. ФТТ, 1 (3), 397 (1959)
- Н.М. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Мин. обороны, 1982) с. 80
- Н.И. Витряховский, А.А. Кипень, О.В. Мыхаськин. ФТП, 6, 1193 (1975)
- В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник (Л., Химия, 1991)
- А.В. Симашкевич. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A2B6 (Кишинев, Штиинца, 1980)
- Л.Д. Буденная, И.Б. Мизецкая, В.Н. Малинко. Неорг. матер., 15, 770 (1979)
- К.В. Шалимова, В.А. Дмитиев. Кристаллография, 17 (3), 541 (1972)
- А.Г. Роках, В.А. Кузнецов, Л.П. Матасова. ЖТФ, 54 (1), 169 (1984)
- Л.П. Прыткина, В.В. Волков, А.Н. Менцер. ФТП, 4, 611 (1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук