Вышедшие номера
О мезоскопической дисперсии длин пробегов дислокаций в полупроводниковых кристаллах
Петухов Б.В.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Показано, что экспериментально обнаруженная большая величина дисперсии длин пробегов дислокаций и затягивание ее выхода на стационарное значение в полупроводниковых материалах может объясняться стохастичностью процесса рождения дислокационных перегибов (кинков). Эта стохастичность приводит к развитию шероховатости линии дислокации, описываемой скейлинговыми соотношениями, включающими в себя мезоскопические временные и пространственные масштабы.