Вышедшие номера
Особенности междолинного рассеяния носителей тока в n-Si при высоких температурах
Федосов А.В.1, Лунёв С.В.1, Федосов С.А.2
1Луцкий национальный технический университет, Луцк, Украина
2Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 17 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

В n-Si возможно междолинное рассеяние электронов двух типов: g-рассеяние и f-рассеяние. С целью установления вклада f- и g-переходов в междолинное рассеяние исследовано пьезосопротивление кристаллов n-Si с исходной концентрацией носителей тока 1.1·1014 см-3 и удельным сопротивлением при 300 K rho=30 Ом·см в температурном интервале T=295-363 K. Насыщение пьезосопротивления с увеличением температуры смещается в область меньших напряжений. Характерной особенностью зависимости rho=rho(T) в координатах =f( T) является переход от наклона 1.68 к 1.83 при T>330 K, что объясняется активным вкладом g-переходов в междолинное рассеяние в области высоких температур. Для проверки правильности объяснения зависимости rho=rho(T) проведен ее расчет на основе теории анизотропного рассеяния с учетом междолинных переходов.