Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности междолинного рассеяния носителей тока в n-Si при высоких температурах

Федосов А.В.¹, Лунёв С.В.¹, Федосов С.А.²

¹Луцкий национальный технический университет, Луцк, Украина
²Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина

Поступила в редакцию: 17 февраля 2010 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В n-Si возможно междолинное рассеяние электронов двух типов: g-рассеяние и f-рассеяние. С целью установления вклада f- и g-переходов в междолинное рассеяние исследовано пьезосопротивление кристаллов n-Si с исходной концентрацией носителей тока 1.1·10¹⁴ см^-3 и удельным сопротивлением при 300 K rho=30 Ом·см в температурном интервале T=295-363 K. Насыщение пьезосопротивления с увеличением температуры смещается в область меньших напряжений. Характерной особенностью зависимости rho=rho(T) в координатах =f( T) является переход от наклона 1.68 к 1.83 при T>330 K, что объясняется активным вкладом g-переходов в междолинное рассеяние в области высоких температур. Для проверки правильности объяснения зависимости rho=rho(T) проведен ее расчет на основе теории анизотропного рассеяния с учетом междолинных переходов.

П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. Думка, 1977)
П.И. Баранский, И.В. Даховский, В.В. Коломоец, А.В. Федосов. ФТП, 10, 1480 (1976)
К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
D. Long. Phys. Rev., 120, 2024 (1960)
Л.Е. Воробьев, В.И. Стафеев, А.Ю. Ушаков. ФТП, 7, 919 (1973)
P. Norton, T. Briggins, H. Levinstein. Phys. Rev. B, 8, 5632 (1973)
В.В. Цыпленков, Е.В. Демидов, К.А. Ковалевский, В.Н. Шастин. ФТП, 42, 1032 (2008)
В.В. Цыпленков, К.А. Ковалевский, В.Н. Шастин. ФТП, 43, 1450 (2009)
С.В. Обухов, В.Г. Тютерев. ФТП, 51, 1051 (2009)
В.Н. Ермаков, А.В. Федосов, В.В. Коломоец, А.Е. Горин. Новые технологии, 2, 48 (2008)
П.И. Баранский, И.В. Даховский. ФТП, 7, 1627 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель