Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость скорости роста слоя AlN от давления азота в реакторе для выращивания кристаллов AlN методом сублимации

Вольфсон А.А.¹, Мохов Е.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 8 апреля 2010 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В данной работе, посвященной исследованию условий получения толстых слоев и объемных кристаллов AlN сублимационным сэндвич-методом, изучалась зависимость скорости роста слоя от величины давления азота в реакторе. Было установлено, что скорость роста слоя монотонно возрастает по мере снижения давления в реакторе в диапазоне 1-0.02 бар. Это позволяет утверждать, что определяющую роль в кинетике роста слоя играет процесс переноса компонентов (Al, N) от источника к подложке, а не процессы адсорбции (десорбции) на поверхности последних.

Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Rristall und Techn., 14, 729 (1979)
E.N. Mokhov, O.v. Avdeev, I.S. Barash, T.Yu. Chemekova, A.D. Roenkov, A.S. Segal, A.A. Wolfson, Yu.N. Makarov, M.G. Ramm, H. Helava. J. Cryst. Growth, 281, 93 (2005)
Yu.N. Makarov et al. J. Cryst. Growth, 310. 881 (2008)
S. Yu. Karpov, D.V. Zimina, Yu.N. Makarov, E.N. Mokhov, A.D. Reonkov, M.G. Ramm, Yu.A. Vodakov. Phys. Status Solidi A, 176, 435 (1999)
A.S. Segal, S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov, E.N. Mokhov, A.D. Reonkov, M.G. Ramm, Yu.A. Vodakov. J. Cryst. Growth, 211. 68 (2000)
T.K. Hossain, J.V. Lindesay, M.G. Spenser. Mater. Sci., cond-mat. mtrl sci (Apr. 2002)
B. Wu, R. Ma, H. Zang, M. Dudley, R. Schlesser, Z. Sitar. J. Cryst. Growth, 253. 326 (2003)
G.R. Yazdi, M. Syvajarvi, R. Yakimova. Physica Scripta, T126, 127 (2006)
S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov, M.G. Ramm, R.A. Talalaev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 2, 45 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель