Зависимость скорости роста слоя AlN от давления азота в реакторе для выращивания кристаллов AlN методом сублимации
Вольфсон А.А.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.
В данной работе, посвященной исследованию условий получения толстых слоев и объемных кристаллов AlN сублимационным сэндвич-методом, изучалась зависимость скорости роста слоя от величины давления азота в реакторе. Было установлено, что скорость роста слоя монотонно возрастает по мере снижения давления в реакторе в диапазоне 1-0.02 бар. Это позволяет утверждать, что определяющую роль в кинетике роста слоя играет процесс переноса компонентов (Al, N) от источника к подложке, а не процессы адсорбции (десорбции) на поверхности последних.
- Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Rristall und Techn., 14, 729 (1979)
- E.N. Mokhov, O.v. Avdeev, I.S. Barash, T.Yu. Chemekova, A.D. Roenkov, A.S. Segal, A.A. Wolfson, Yu.N. Makarov, M.G. Ramm, H. Helava. J. Cryst. Growth, 281, 93 (2005)
- Yu.N. Makarov et al. J. Cryst. Growth, 310. 881 (2008)
- S. Yu. Karpov, D.V. Zimina, Yu.N. Makarov, E.N. Mokhov, A.D. Reonkov, M.G. Ramm, Yu.A. Vodakov. Phys. Status Solidi A, 176, 435 (1999)
- A.S. Segal, S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov, E.N. Mokhov, A.D. Reonkov, M.G. Ramm, Yu.A. Vodakov. J. Cryst. Growth, 211. 68 (2000)
- T.K. Hossain, J.V. Lindesay, M.G. Spenser. Mater. Sci., cond-mat. mtrl sci (Apr. 2002)
- B. Wu, R. Ma, H. Zang, M. Dudley, R. Schlesser, Z. Sitar. J. Cryst. Growth, 253. 326 (2003)
- G.R. Yazdi, M. Syvajarvi, R. Yakimova. Physica Scripta, T126, 127 (2006)
- S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov, M.G. Ramm, R.A. Talalaev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 2, 45 (1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.