Вышедшие номера
Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (AIII, Mn)BV и Ni
Прокофьева М.М.1, Дорохин М.В.2, Данилов Ю.А.2, Кудрин А.В.2, Вихрова О.В.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

Проведено сравнительное исследование электролюминесцентных характеристик светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с InGaAs/GaAs-квантовой ямой и инжекторным слоем, выполненным в виде ферромагнитного металла (Ni), полуметаллического соединения (MnSb) или магнитного полупроводника (InMnAs). Общей особенностью является гашение электролюминесценции при уменьшении толщины спейсерного слоя между квантовой ямой и магнитным инжектором. Обнаружено, что температурная зависимость электролюминесценции в диодах с Ni и MnSb обусловлена термическим выбросом носителей из квантовой ямы, а в диодах с InMnAs - температурной зависимостью концентрации носителей в магнитном полупроводнике, а также термическим выбросом носителей из квантовой ямы в области высоких температур.