Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптическая диагностика поверхности наногетероструктур в процессе выращивания

Казаков И.П.¹, Глазырин Е.В.¹, Савинов С.А.¹, Цехош В.И.¹, Шмелёв С.С.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 8 апреля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

PDF версия

Показано, что все этапы выращивания гетероструктур с ультратонкими слоями GaAs и AlAs толщиной в несколько монослоев могут эффективно контролироваться по измерениям отражения и анизотропного отражения in situ в реальном масштабе времени. Изменение состава слоев на прямых гетерограницах GaAs/AlAs активной области резонансно-туннельного диода зарегистрировано с разрешением по толщине на уровне одного монослоя. Получены резонансно-туннельные диоды с отношением "пик-долина" и плотностью пикового тока, равными 3.3 и 6.6·10⁴ А/см² соответственно.

В.Л. Берковиц. Письма ЖЭТФ, 41, (1985)
D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. Lett., 54, 1956 (1985)
F.G. Celii. J. Vac. Sci. Technol. A, 13 (3), 733 (1995)
J.P. Harbison, D.E. Aspnes, A.A. Studna, L.T. Florez, M.K. Kelly. Appl. Phys. Lett., 52 (24), 2046 (1988)
O. Hunderli, J.-T. Zettler, K. Haberland. Thin Sol. Films, 472 (1--2), 261 (2005)
T.P.E. Broekaert, W. Lee, C.G. Fonstad. Appl. Phys. Lett., 53, 1545 (1988)
A. Guill'en-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, M. L'opez-L'opez, E. L'opez-Luna, I. Hern'andez-Calder'on. Thin Sol. Films, 373, 159 (2000)
T. Van Buuren, M.K. Weilmeier, I. Athwal, K.M. Colbow, J.A. Mackenzie, T. Tiedjea, P.C. Wong, K.A.R. Mitchell. Appl. Phys. Lett., 59 (4), 464 (1991)
L.F. Lastras-Marti'nez, D. Ronnow, P.V. Santos, M. Cardona, K. Eberl. Phys. Rev. B, 64, 245 303 (2001)
J.P. Silveira, F. Briones. J. Cryst. Growth, 201/202, 113 (1999)
D.E. Aspnes, J.P. Harbison, A.A. Studna, L.T. Florez, M.K. Kelly, J. Vac. Sci. Technol. B, 6 (4), 1127 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель