Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p+/n+/n-Si:Er туннельно-пролетного типа
Шмагин В.Б.1, Кузнецов В.П.2, Кудрявцев К.Е.1, Оболенский С.В.3, Козлов В.А.1, Красильник З.Ф.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.
Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p+/n+/n-Si : Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p+/n+-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1.5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10-5) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2·10-20 см2с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p+/n-Si : Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа.
- A. Polman. J. Appl. Phys., 82, 1 (1997)
- A.J. Kenyon. Semicond. Sci. Technol., 20, R65 (2005)
- N.Q. Vinh, N.N. Ha, T. Gregorkiewicz. Proc. IEEE, 97, 1269 (2009)
- G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
- J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, H. Holzbrecher, Ch. Buchal, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
- В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, М.Н. Дрздов. ФТТ, 46, 110 (2004)
- В.П. Кузнецов, Ю.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А,Н, Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
- G.V. Hansson, W.-X. Ni, C.-X. Du, A. Elfving, F. Duteil. Appl. Phys. Lett., 78, 2104 (2001)
- В.Б. Шмагин, Ю.Ю. Ремизов, С.В. Оболенский, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник. ФТТ, 47, 120 (2005)
- V.B. Shmagin, S.V. Obolensky, F.Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12, 1556 (2006)
- S.V. Obolensky, V.B. Shmagin, V.A. Kozlov, K.E. Kudryavtsev, D.Yu. Remizov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 21, 1459 (2006)
- Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузенцов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин. Матер. X симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2006) т. 2, с. 348
- В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
- В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1, гл. 2, с. 106
- G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. phys., 81, 2784 (1997)
- N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh, P.E. Khakuashev, M.A. Trishenkov. J. Luminesc., 80, 315 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
