Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si1-xGex:Er/Si с релаксированным гетерослоем
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 20 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.
Проведено исследование люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si1-xGex:Er/Si с релаксированным гетерослоем. По результатам совместных исследований спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции (ФЛ) выделены компоненты, вносящие преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции структур Si1-xGex:Er/Si в диапазоне длин волн 1.54 мкм. Показано, что релаксация упругих напряжений в гетерослое Si1-xGex:Er слабо влияет на кинетические характеристики эрбиевой люминесценции и проявляется лишь в незначительном вкладе в люминесцентный отклик структур Si1-xGex:Er/Si дефектов и дефектно-примесных комплексов. В спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ выделены особенности, связанные с возможностью возбуждения редкоземельной примеси при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны твердого раствора Si1-xGex. Показано, что в спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ в структурах Si1-xGex:Er/Si в области длин волн 1040-1050 нм наблюдается пик, ширина которого зависит от ширины запрещенной зоны твердого раствора и степени его релаксации. Наблюдаемые особенности объясняются вовлеченностью в процесс возбуждения иона Er3+ промежуточных уровней в запрещенной зоне твердого раствора Si1-xGex:Er.
- M.V. Stepikhova, L.V. Krasil'nikova, Z.F. Krasil'nik, V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, S.P. Svetlov, D.M. Zhigunov, V.Yu. Timoshenko, O.A. Shalygina, P.K. Kashkarov. J. Cryst. Growth, 288, 65 (2006)
- V.A. Tolomasov, L.K. Orlov, S.P. Svetlov, R.A. Rubtsova, A.D. Gudkova, A.V. Kornaukhov, A.V. Potapov, Y.N. Drozdov. Crystallography Reports, 43 (3), 493 (1998)
- A. Polman. J. Appl. Phys., 82 (1), 1 (1997)
- G. Davies. Physics Reports (Review Section of Phys. Lett.), 176 (3--4), 83 (1989) North-Holland, Amsterdam
- V.V. Kveder, E.A. Steinman, H.G. Grimmeiss. J. Appl. Phys, 78, 446 (1995)
- L.P. Tilly, P.M. Mooney, J.O. Chu, F.K. LeGoues. Appl. Phys. Lett, 67, 2488 (1995)
- A. Souifi, T. Benyattou, G. Guillot, G. Bremond D. Dutartre, P. Warren. J. Appl. Phys., 78, 4039 (1995)
- G. Bremond, A. Souifi, T. Benyattou, D. Dutartre. Thin Sol. Films, 222, 60 (1992)
- K. Tanaka, M. Suezawa, I. Yonenaga. J. Appl. Phys., 80, 6991 (1996)
- Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Д.И. Крыжков, А.Н. Яблонский, В.П. Кузнецов, T. Gregorkiewicz, M.A.J. Klik. ФТТ, 46 (1), 98 (2004)
- Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, А.Н. Яблонский, В.П. Кузнецов, T. Gregorkiewicz, M.A.J. Klik. ФТТ, 47 (1), 83 (2005)
- A.N. Yablonskiy, M.A.J. Klik, B.A. Andreev, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik, T. Gregorkiewicz. Optical Materials, 27 (5), 890 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
