Проведено исследование люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si_1-xGe_x:Er/Si с релаксированным гетерослоем. По результатам совместных исследований спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции (ФЛ) выделены компоненты, вносящие преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции структур Si_1-xGe_x:Er/Si в диапазоне длин волн 1.54 мкм. Показано, что релаксация упругих напряжений в гетерослое Si_1-xGe_x:Er слабо влияет на кинетические характеристики эрбиевой люминесценции и проявляется лишь в незначительном вкладе в люминесцентный отклик структур Si_1-xGe_x:Er/Si дефектов и дефектно-примесных комплексов. В спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ выделены особенности, связанные с возможностью возбуждения редкоземельной примеси при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны твердого раствора Si_1-xGe_x. Показано, что в спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ в структурах Si_1-xGe_x:Er/Si в области длин волн 1040-1050 нм наблюдается пик, ширина которого зависит от ширины запрещенной зоны твердого раствора и степени его релаксации. Наблюдаемые особенности объясняются вовлеченностью в процесс возбуждения иона Er³⁺ промежуточных уровней в запрещенной зоне твердого раствора Si_1-xGe_x:Er.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.