Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены лазерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 1190 нм. Показано, что в данных лазерах активная область является релаксированной, что проявляется в разбросе достигаемой максимальной мощности для различных лазеров, полученных из одной гетероструктуры. Максимальная мощность излучения в непрерывном режиме генерации для таких лазеров составила 5.5 Вт на зеркало.
- А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34 (12), 1457 (2000)
- С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. ПЖТФ, 29 (3), 65 (2003)
- А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.В. Лютецкий, Л.С. Вавилова, В.В. Васильева, А.А. Мармалюк, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ПЖТФ, 34 (13), 25 (2008)
- F. Heinrichsdroff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 71 (1), 22 (1997)
- С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (11), 1400 (2002)
- С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, Ю.М. Шерняков, И.Н. Каяндер, Е.Ю. Кондратьева, Д.А. Лившиц, И.С. Тарасов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34 (1), 117 (2000)
- D.A. Livshits, A.Y. Egorov, H. Riechert. Electron. Lett., 36 (16), 1381 (2000)
- M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M.C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okai, K. Uomi. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (3), 719 (1997)
- N. Tansu, J.-Y. Yeh, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett., 82 (23), 4038 (2003)
- T.K. Sharma, M. Zorn, U. Zeimer, H. Kissel, F. Bugge, M. Weyers. Cryst. Res. Technol., 40 (9), 877 (2005)
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, Д.Н. Николаев, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (10), 1374 (2009)
- Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 57 (2000)
- А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002)
- Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
