Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние поверхностных химических обработок на свойства контактов Ti-p-Si_1-xGe_x и Ni-p-Si_1-xGe_x

Атабаев И.Г.¹, Хажиев М.У.¹, Матчанов Н.А.¹, Салиев Т.М.¹, Бобожонов К.А.¹

¹Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 15 марта 2010 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

PDF версия

Исследовано влияние различных химических обработок поверхности твердого раствора на свойства контактов Ti-p-SiGe и Ni-p-SiGe, полученных термическим напылением в вакууме при температуре подложки 350-400^oC. Травление в различных режимах использовалось для формирования исходной поверхности с различной плотностью поверхностных состояний. Показано, что в структурах на основе никеля при термическом напылении контактов образуется промежуточный слой германосилицида никеля, оказывающего существенное влияние на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур.

Zs.J. Horva'th, M.A'da'm, I. Szabo, M. Sere'nyi, Vo Van Tuyen. Appl. Surf. Sci., 190, 441 (2002)
A. Keffous, M. Zitouni, Y. Belkacem, H. Menari, W. Chergui. Appl. Surf. Sci., 199, 22 (2002)
H. Rahab, A. Kelous, H. Menari, W. Chergui, N. Boussaa, M. Siad. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 459, 200 (2001)
G. Ottaviani, K.N. Tu, J.W. Mayer. Phys. Rev. B, 24, 3354 (1981)
М.С. Саидов, Р.А. Муминов, И.Г. Атабаев и др. Атом. энергия, 81 (4), 270 (1996)
И.Г. Атабаев, Н.А. Матчанов, Э.Н. Бахранов, М.У. Хажиев. Неорг. матер., 44 (9), 775 (2008)
Н.А. Матчанов. ДАН АН УзР, N 6, 34 (2008)
И.Г. Атабаев, М.У. Хажиев. ДАН АН УзР, N 6, 43 (2009)
В.Т. Малаева. Автореф. канд. дис. (Ташкент, 1985)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 275, 285--287 и 395--397
H.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
S.P. Ashburn, M.C. Ozturk, J.J. Wortman, G. Harris, J. Honeycutt, D.M. Maher. J. Electron. Mater., 21 (1), 81 (1992)
K.L. Pey, W.K. Choi, S. Chattopadhyay, H.B. Zhao, E.A. Fitzgerald, D.A. Antoniadis, P.S. Lee. J. Vac. Sci. Technol. A, 20 (6), 1903 (2002)
Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
L.J. Jin, K.L. Pey, W.K. Choi, E.A. Fitzgerald, D.A. Antoniadis, A.J. Pitera, M.L. Lee, D.Z. Chi, C.H. Tung. Thin Sol. Films, 462--463, 151 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель