Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Юрий Васильевич Шмарцев ( к 80-летию со дня рождения)

Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

[!t] В этом году Юрию Васильевичу Шмарцеву исполнилось бы 80 лет. Мы помним Юрия Васильевича как крупного специалиста в области примесных центров в полупроводниковых материалах, ученого с активной жизненной позицией и воспитателя молодых научных кадров. Свыше 30 лет научная деятельность Юрия Васильевича была неразрывно связана с Физико-техническим институтом им. А. Ф. Иоффе РАН, в котором при его непосредственном участии зарождались и развивались новые актуальные направления в физике полупроводников, такие как изовалентное легирование бинарных соединений А^IIIВ^V, кинетические явления в сильно легированных полупроводниковых материалах, физические эффекты в двумерном электронном газе и др. При этом важно отметить, что Юрий Васильевич не ограничивался только теоретическими и экспериментальными аспектами поставленных проблем, а всегда интересовался технологическими и прикладными вопросами, стараясь найти практическое применение полученным знаниям. В 1987 году за цикл работ по изовалентному легированию бинарных полупроводников Юрий Васильевич с коллегами был удостоен Государственной премии СССР. Особо стоит отметить, что со дня основания журнала << Физика и техника полупроводников>> в 1967 году Юрий Васильевич участвовал в его становлении как заместитель главного редактора. На его плечах лежала ответственность за решение практических вопросов, связанных с формированием редакционного портфеля и работы с рецензентами и научными редакторами. Совместными усилиями главного редактора и Юрия Васильевича журнал стал авторитетным специализированным изданием не только в нашей стране, но и за рубежом. Научно-организационная деятельность Юрия Васильевича была многогранна и включала в себя участие в работе бюро Научного совета << Физика и химия полупроводников>> при Президиуме Академии наук, а также ученых и специализированных советов ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН и Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Конечно, нельзя не упомянуть большую педагогическую деятельность Юрия Васильевича Шмарцева как блестящего лектора и воспитателя молодых научных кадров. Сейчас многие ученики Юрия Васильевича успешно работают у нас в стране и за рубежом в различных областях физики и техники полупроводников. Юрий Васильевич Шмарцев был и остается для нас ярким примером ученого и интеллигентного человека, добрая память о котором надолго сохранится в наших сердцах. Редколлегия журнала << Физика и техника полупроводников>>, ученики, коллеги и друзья

V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137, 653 (1990)
K. Busch, S. Lolkes, R.B. Wehrspohn, H. Foll. Photonic Crystals (Germany, Wiley VCH, 2004)
S. Ottow, V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 143, 385 (1996)
F. Muller, A. Birner, J. Schilling, A.-P. Li, K. Nielsch, U. Gosele, V. Lehmann. Microsystem Technol., 8, 7 (2002)
Е.В. Астрова, Т.Н. Боровинская, В.А. Толмачев, Т.С. Перова. ФТП, 38, 1125 (2004)
G. Barillaro, A. Nannini, F. Pieri. J. Electrochem. Soc., 149, C180 (2002)
G. Barillaro, A. Nannini, M. Piotto. Sensors Actuators A, 102, 195 (2002)
Е.В. Астрова, А.А. Нечитайлов. ФТП, 42, 747 (2008)
E.V. Astrova, A.A. Nechitailov, V.A. Tolmachev, V.A. Melnikov, T.S. Perova. Phys. Status Solidi A, 206, 1235 (2009)
E.V. Astrova, G.V. Fedulova. J. Micromech. Microeng., 19, 095 009 (2009)
E.V. Astrova, V.A. Tolmachev, G.V. Fedulova, V.A. Melnikov, A.V. Ankudinov, T.S. Perova. Appl. Phys. A, 98, 571 (2010)
Е.В. Астрова, В.А. Толмачев, Г.В. Федулова, V.A. Melnikov, T.S. Perova. Изв. РАН. Сер. физ., 74, 72 (2010)
Ю.А. Жарова, Г.В. Федулова, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, Е.В. Астрова, В.А. Ермаков, Т.С. Перова. ФТП, 44, 986 (2010)
T. Geppert, S.L. Schweizer, U. Gosele, R.B. Wehrspohn. Appl. Phys. A, 84, 237 (2006)
R.B. Wehrspohn, S.L. Schweizer, V. Sandoghdar. Phys. Status Solidi A, 204, 3708 (2007)
T. Geppert. Ph. D. Dissertation (Max-Planck-Institute for Physics of Microstructures, Halle (Saale) and University of Paderborn, Germany, 2006) urn:nbn:de:gbv:3--000010074 [http://nbn--resolving.de/urn/resolver.pl?urn-nbn% 3Ade%3Agbv%3A3--000010074]
Е.В. Астрова, В.В. Ратников, А.Д. Ременюк, И.Л. Шульпина. ФТП, 36, 1111 (2002)
V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Germany, Wiley VCH, 2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель