Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние gamma-облучения на электрические свойства CuGaSe2
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 30 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.
Исследовано влияние gamma-облучения на проводимость низкоомных (102-104 Ом·см) и высокоомных (105-107 Ом·см) монокристаллов CuGaSe2 в интервале температур 77-330 K. Обнаружено, что удельное сопротивление низкоомных образцов увеличивается с увеличением дозы gamma-облучения, а высокоомных образцов практически не зависит от дозы облучения. Предполагается, что уменьшение проводимости в низкоомных образцах происходит за счет рассеяния свободных носителей на дефектах (заряженных центрах), созданных при облучении gamma-квантами. Обнаружено, что доза gamma-облучения не влияет на температурную зависимость удельного сопротивления низкоомных и высокоомных образцов в интервале 77-330 K.
- D.C. Chemla, P.J. Kupecek, D.C. Robertson, R.C. Smith. Optics Commun., 3, 29 (1971)
- В.Ф. Гременок, Г.А. Ильчук, С.Е. Никитин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 39 (2), 218 (2005)
- В.В. Емцев, Ю.А. Николаев, Д.С. Полоскин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, М.В. Якушев. ФТП, 39 (12), 1455 (2005)
- В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 1 (5), 176 (1971)
- Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28 (9), 1505 (1994).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
