Вышедшие номера
Влияние gamma-облучения на электрические свойства CuGaSe2
Касумоглу И.1, Керимова Т.Г.1, Мамедова И.А.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 30 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Исследовано влияние gamma-облучения на проводимость низкоомных (102-104 Ом·см) и высокоомных (105-107 Ом·см) монокристаллов CuGaSe2 в интервале температур 77-330 K. Обнаружено, что удельное сопротивление низкоомных образцов увеличивается с увеличением дозы gamma-облучения, а высокоомных образцов практически не зависит от дозы облучения. Предполагается, что уменьшение проводимости в низкоомных образцах происходит за счет рассеяния свободных носителей на дефектах (заряженных центрах), созданных при облучении gamma-квантами. Обнаружено, что доза gamma-облучения не влияет на температурную зависимость удельного сопротивления низкоомных и высокоомных образцов в интервале 77-330 K.