Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термостимулированный переход между примесной и собственной проводимостями
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 21 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.
Показано, что вдоль длины образца дырочного германия за счет большего градиента температуры можно реализовать стационарное во времени "соседство" областей примесной (дырочной) и собственной (электронной) проводимости, так называемый термостимулированный переход, способный выпрямлять переменный ток. Рассчитан "контактный" потенциал такого перехода.
- И.К. Камилов, М.М. Гаджиалиев. Письма ЖЭТФ, 52, 1259 (1990)
- Я. Тауц. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (М., ИЛ, 1962)
- М.М. Гаджиалиев. В кн.: Явление Бенедикса в электронно-дырочной плазме германия. Сб. тр. ИФ ДагФАН СССР. Плазма в полупровдниках (Махачкала, 1984) с. 21
- В.Ш. Ступельман, Г.А. Филаретов. Полупровдниковые приборы (М., Сов. радио, 1973) с. 247
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
