Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-амперные характеристики поликристаллов соединения ZnGa₂Se₄

Тагиев Б.Г.¹, Тагиев О.В.^1,2, Асадуллаева С.Г.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

²Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан Baku Branch, Lomonosov Moscow State University, Baku, Azerbaijan

Baku Branch, Lomonosov Moscow State University, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 25 февраля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

PDF версия

Вольт-амперные характеристики структуры In-ZnGa₂Se₄-In исследовались в интервале температур 90-335 K. На основании расчетных данных для концентрации трех типов ловушек носителей заряда в ZnGa₂Se₄ получены величины N_t=1.4· 10¹³, 8.2· 10¹², 2.6· 10¹² см^-3, определены прозрачность контактной области D^*_k=10^-5, скорость поверхностной рекомбинации S_k=0.65 м/с, время жизни носителей заряда tau=1.5· 10^-4 с. Установлено, что в электрических полях меньше 10³ В/см механизм токопрохождения обусловлен монополярной инжекцией носителей заряда.

J.A. Beun, R. Nitsche, M. Lichtensteiger. Physica, 27, 448 (1961)
N.A. Goryunova. The Chemistry of Diamond-Like Semiconductors (Chapman and Hall, London, 1965)
L.I. Berger, V.D. Prochukhan. Ternary Diamond-Like Semiconductors (Consultants Bureau, N.Y., 1969)
W. Ludwig, G. Voigt. Phys. Status Solidi, 24, K 161 (1967)
J.A. Beun, R. Nitsche, M. Lichtensteiger. Physica, 26, 647 (1960)
R. Nitsche, W.J. Merz. Helv. Phys. Acta, 35, 275 (1962)
S. Shionoya, Y. Tamoto. J. Phys. Soc. Jpn., 19, 1142 (1962)
L. Krausbauer, R. Nitsche, P. Wild. Proc. Intern. Conf. on Luminescence (Budapest, 1966) p. 1107
G.B. Abdullaev, V.B. Antonov, D.T. Guseinov, R.Kh. Nanu, E.Yu. Salaev. Sov. Phys. Semicond., 2, 878 (1969)
W. Kim, M. Jin, S. Hyeon, Y. Kim, B. Park. Sol. St. Commun., 74 (2), 123 (1990)
Y.-G. Kim, L. Chomsik. J. Appl. Phys., 83 (12), 8068 (1998)
J.W. Kim, Y.J. Kim. J. Eur. Ceramic Soc., 27 (13--15), 3667 (2007)
S.I. Radautsan, I.M. Tiginyanu, V.N. Fulga, Yu.O. Derid. Phys. Status Solidi A, 114 (1), 259 (1989)
X.-S. Jiang, S. Mi, P.-J. Sun, Y. Lu, J.-Q. Liang. Chinese Phys. Lett., 26, 077 102 (2009)
G. Antonioli, P.P. Lottici, C. Razzetti. Phys. Status Solidi B, 152 (1), 39 (2006)
A. Eifler, G. Krauss, V. Riede, V. Kramer, W. Grill. J. Phys. Chem. Sol., 66 (11), 2052 (2005)
D. Errandonea, R.S. Kumar, F.J. Manjon, V.V. Ursaki, I.M. Tiginyanu. J. Appl. Phys., 104 (6), 063 524 (2008)
H. Hahn, G. Frank, W. Klinger, A.D. Storger, G. Storger, Z. Anorg. Allg. Chem., 279, 241 (1955)
P. Manca, C. Muntoni, F. Raga, A. Spiga. Phys. Status Solidi B, 44, 51 (1971)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) ч. 1, гл. 5, с. 103
C. Manfredotti, C.De Blasi, S. Galassini, G. Micocci, L. Ruggiero, A. Tepore. Phys. Status Solidi A, 36, 569 (1976)
S. Nespurek, J. Sworakowski. Phys. Status Solidi A, 41 (2), 619 (1977)
А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, А.Ю. Тхорик, Е.П. Шульга. УФЖ, 21, 370 (1977)
N.A. Goryunova. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
А.Н. Зюганов, А.М. Иванов, С.В. Свечников. Электрон. моделирование, 12, 6 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель