Вышедшие номера
Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Кузнецов В.П.1,2, Шмагин В.Б.2, Дроздов М.Н.2, Марычев М.О.3, Кудрявцев К.Е.2, Кузнецов М.В.1, Андреев Б.А.2, Корнаухов А.В.1, Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Исследована зависимость концентраций примеси Er и ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, до и после отжига. Слои n-Si : Er выращивались в интервале температур 400-800oC и отжигались в атмосфере водорода при температуре 800oC в течение 30 мин. Обсуждается возможная природа донорных центров.