Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Разогрев носителей заряда и выпрямление тока на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле
1Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 20 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.
Эдс горячих носителей заряда Uoc, генерируемая на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле, несмотря на то что температура электронов гораздо выше, чем дырок, определяется горячими дырками. Установлено, что напряжение холостого хода определяется температурой тех носителей, которые определяют полный ток через p-n-переход.
- А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицский, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
- С.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, А.Г. Гулямов. Узб. физ. журн., 2, 48 (2009)
- Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
- С.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, А.Г. Гулямов. ФТП, 43, 53 (2009)
- П.И. Бранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
